인텔, 32 나노 반도체 공정 개발 단계 완료

　 인텔은 32 나노 차세대 반도체 제조 공정 개발 단계를 완료, 내년 4분기에 선 보인다고 10일 밝혔다.

인텔은 다음 주 샌프란시스코에서 개최하는 국제전자소자회의(IEDM)에서 32나노 공정 기술에 관한 다양한 세부 기술 내역을 다룬 여러 주제를 발표할 계획이다. 인텔은 2세대 하이-k 메탈 게이트 기술, 193 나노 액침 노광 기술(immersion lithography), 강화된 트랜지스터 스트레인 기법들을 통합하는 로직 기술을 설명한다.

인텔 시니어 펠로우이자 공정 아키텍처 및 통합 담당 이사인 마크 보어(Mark Bohr)는 “인텔의 제조 능력과 그로 인한 제품들은 인텔 기반 랩톱과 서버, 데스크톱의 연산 능력 및 배터리 수명을 강화하는데 도움을 주었다”며, “올해 선보인 것과 같이, 인텔의 제조 전략 및 실행은 MID, CE 장비, 임베디드 컴퓨터 및 넷북용의 완전히 새로운 제품 라인 개발을 위한 능력을 부여해 주었다”고 밝혔다.

안수민기자 smahn@etnews.co.kr