관련 통계자료 다운로드 DDR3 램 시장 전망 우리나라 반도체 기업들이 고부가가치인 DDR3 D램 시장을 본격 개척한다.
16일 업계에 따르면 삼성전자와 하이닉스반도체는 DDR3 D램 제품을 지난 10월부터 양산했으며, 내년 전체 D램 생산 비중에서 DDR D램 비중을 30% 이상 높이기로 했다. 특히 두 회사는 DDR3 제품이 고용량 D램 시장에서 현 주력 제품인 DDR2 D램을 빠르게 대체할 것으로 예상했다. 내년부터 형성할 DDR3 D램 수요를 선점함은 물론 가격이 급락하는 D램 시장에서 수익성을 개선하는 돌파구로 삼을 계획이다.
하이닉스반도체는 10월께 66 나노 1Gb·2Gb DDR3을 양산한 데 이어 내년 상반기엔 54 나노 1Gb DDR3 양산에 본격 착수한다. 이 회사는 또한 54 나노 2Gb DDR3 개발도 진행, 내년 1분기께 개발을 마치기로 하는 등 DDR3 제품군을 늘려나갈 계획이다.
하이닉스반도체 관계자는 “DDR 3 제품을 소량 생산하고 있지만 연말께 D램 생산에서 DDR3 비중을 10% 가까이 늘리고 내년 3분기께 30% 이상으로 그 비중을 대폭 올린다”고 말했다.
삼성전자도 56 나노 2Gb DDR3 D램 개발에 성공해 10월부터 양산에 들어갔다. 이 회사는 56나노 2Gb DDR3 D램 양산을 시작으로 PC 시장에서 프리미엄 서버 시장에 이르기까지 향후 수년 내 D램 시장의 주력이 될 2Gb DDR3 제품군에서 주도권을 확보하기로 했다. 삼성전자 관계자는 “내년 DDR3 D램 시장이 열릴 것으로 전망된다”며 “DDR3 D램 생산 비중을 단계적으로 늘려갈 계획”이라고 말했다.
한편 반도체 시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장은 비트 기준으로 전체 D램 시장에서 내년 29%, 2011년께 75% 규모로 성장할 것으로 전망했다. DDR3 D램 중 2Gb 비중도 Bit(1Gb) 기준으로 각각 2009년 3%, 2011년 33% 차지할 전망이다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr
