내년 `300㎜`로 완전 전환
관련 통계자료 다운로드 삼성전자 기흥 화성 반도체 라인 현황 삼성전자가 내년께 200㎜(8 인치) 웨이퍼 전용인 화성의 10 라인을 300㎜ 웨이퍼 라인으로 전환한다. 또 메모리 7라인을 시스템반도체 라인으로 바꾸는 방안도 검토중인 것으로 알려졌다. 이로써 화성공장은 내년중 모두 300㎜ 라인으로 탈바꿈하게 되며, D램과 플래시메모리, 시스템반도체 등 품목 수요 동향에 맞춘 삼성전자의 생산라인 개편 작업도 한층 가속화할 전망이다.
4일 업계에 따르면 삼성전자는 메모리 반도체를 생산하는 200㎜ 10 라인을 300㎜ 라인으로 내년 중 교체하기로 했다. 이르면 내년 2분기, 늦어도 하반기중 전환을 완료할 예정이다.
삼성전자는 최근 3분기 실적 발표를 통해 200㎜ 라인 한 곳을 300㎜ 라인으로 내년 전환하겠다고 밝혔지만 어떤 라인을 전환할 것인지 공개하지 않았다.
삼성전자는 생산 공정 관리 차원에서 일관성을 확보함으로써 원가 경쟁력을 높이기 위해 이같이 결정한 것으로 보인다. 현 10 라인(200㎜)과 11 라인(300㎜)은 한 개 동에서 동시 운영하고 있으나 서로 다른 크기의 웨이퍼를 취급해왔다. 삼성전자는 그렇지만 10 라인을 300㎜로 전환한 후 D램 또는 낸드 플래시 메모리로 할 지에 대해선 뚜렷한 결론을 내리지 못한 상태인 것으로 알려졌다. 삼성전자는 내년 D램 가격 30% 하락, 낸드플래시 가격은 40% 하락을 예상하는 데다 최근 낸드플래시 메모리 사업에서 적자를 보고 있어 전략적 판단을 내려야 할 상황이다.
전환에 필요한 시설투자비는 4000∼5000억 원에 이를 것으로 보인다. 삼성은 지난 2007년에 화성 11 라인을 200㎜ 웨이퍼 공정에서 300㎜로 전환할 당시 약 4000억 원을 투입했다.
삼성전자 200㎜ 메모리 반도체 라인은 이에 따라 7, 8, 9 라인 등 3곳만 남게 된다. 삼성전자는 이 가운데 7라인을 시스템반도체 라인으로 전환하는 방안을 검토중이다. 이 회사는 시스템반도체 사업을 확대하면서 생산라인을 더 필요로 하는 상황이다. 업계 한 관계자는 “200㎜ 라인은 DDI 등 시스템반도체 처럼 소량 다품종 생산 공정에 적합하다”라고 말해 이를 뒷받침했다.
삼성전자는 내년 10 라인의 300㎜ 전환을 계기로 D램·낸드 플래시 메모리 등 메모리 반도체의 원가 경쟁력을 높여 반도체 불경기에 대응해나갈 계획이다. D램과 낸드플래시 가격이 급락하면서 노후화 되고 생산성이 약 30% 가량 떨어지는 200㎜ 라인에선 수지 타산을 맞추기 어렵기때문이다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr
