삼성전자가 300㎜ 팹에서 생산해온 시모스이미지센서(CIS)를 도 200㎜ 팹으로 옮길 계획이다.
삼성전자는 30만화소 1/10인치 렌즈구경, 130만화소 1/5인치 렌즈구경의 CIS를 이르면 6월부터 200㎜ 팹인 5라인으로 이관할 예정인 것으로 밝혀졌다.
삼성전자는 CIS시장 세계 1위를 목표로 지난 2005년부터 세계 최초로 300㎜ 팹에서 CIS를 양산해 왔기 때문에, 이번 200㎜ 팹 회귀 배경에 업계 관심이 모아지고 있다. 300㎜ 웨이퍼 한 장에서 나오는 CIS 칩 수는 200㎜웨이퍼에 비해 35% 이상 많기 때문에, 300㎜ 팹을 통한 CIS 양산은 CIS사업에 대한 삼성전자의 공격적 행보로 상징돼 왔다.
삼성전자의 이같은 움직임에 대해 업계에서는 감가상각이 남아 있는 300㎜ 최첨단 팹을 CIS 생산에 활용한 전략이 원가경쟁력 부담으로 인해 일부 수정되는 것으로 추정하고 있다. 또 300㎜ 팹에서의 CIS 수율이 예상보다 저조한 것도 배경으로 보고 있다. 통상 업계에서는 CIS 생산 팹으로 감가상각이 끝난 150㎜·200㎜ 팹을 활용하고 있다.
삼성전자는 비메모리 전용 300㎜ 팹에서 CIS 생산을 중단하고, 대신 부가가치가 높은 새로운 시스템반도체를 해당 캐파에서 양산할 계획인 것으로 알려졌다.
삼성전자 관계자는 “(200㎜ 이관은) 수율 문제와는 전혀 관련이 없다”며 “품목별 캐파 조정과 공정혁신을 위한 전략적인 판단에 따른 것일 뿐”이라고 밝혔다.
업계 한 관계자는 “삼성전자 5라인은 감가상각이 모두 끝난 팹이기 때문에 CIS의 원가경쟁력 제고에 도움이 될 것”이라며 “특히 렌즈구경 1/10인치 30만 화소 CIS의 경우는 중저가폰용이기 때문에 가격경쟁력이 확보되면 중국 등에서 수요가 크게 늘 것”이라고 전망했다.
CIS의 규격 가운데 렌즈구경(옵티컬포맷)은 둥근 렌즈 안에 정사각형을 그렸을때 정사각형의 대각선 길이를 표현하는 단위로, 작으면 작을수록 슬림형 휴대폰 디자인에 유리하다.
심규호기자@전자신문, khsim@
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