관련 통계자료 다운로드 세계 반도체업계 D램 미세공정 진화 단계 삼성전자와 하이닉스반도체가 각각 3월과 5월에 60나노 D램을 양산한다. 올해 60나노대 D램 양산을 계획하고 있는 곳은 전세계적으로 삼성전자와 하이닉스반도체 2곳 뿐이어서, 60나노 D램시장에서도 한국의 주도권이 더욱 공고해질 전망이다.
삼성전자는 오는 3월, 하이닉스반도체는 5월 60나노대 공정(머리카락 굵기의 약 2000분의 1)을 도입한 D램 양산을 개시한다고 4일 밝혔다.
60나노대 공정이 도입되면 D램 생산량을 현 주력인 80나노 대비 1.5∼1.8배 늘릴 수 있어, 국내 반도체 2사는 최근 2∼3년 이어지고 있는 세계 최고수익율 달성을 이어갈 것으로 기대된다.
D램은 통상 시장상황상 매년 30% 안팎의 가격인하가 불가피해 1년에 1세대 또는 2세대 정도 미세공정화를 실현해야, 높은 수익율을 담보할 수 있다. 지난해의 경우 국내 D램 업계는 80나노 양산을 실현하며 미세공정화에 성공해 생산원가를 30∼50% 가량 줄였으나, 실제 시장의 가격인하 수준은 15%선이어서 최대 호황을 맞은 바 있다.
◇한국 또 한번 앞서간다=7년째 세계 D램 기술의 미세공정화를 선도하고 있는 삼성전자는 80나노 D램 공정부터 셀의 크기를 기존(8F스퀘어)보다 줄인 6F스퀘어 방식을 새롭게 도입하면서도 수율을 안정화해, 세계 최고 D램 업체로서의 명성을 확고히하고 있다. 하이닉스반도체도 현 최첨단 공정인 80나노 미세공정에서 최단시간에 수율을 안정화하며 경쟁사들에 비해 빠른 성장세를 유지하며 80나노 D램 시장을 주도하고 있다.
삼성전자와 하이닉스반도체는 안정된 80나노 생산공정을 바탕으로, 3월과 5월 각각 68나노와 66나노 공정의 D램 양산을 시작한다. 삼성전자 고위관계자는 “올 1분기부터 6F스퀘어방식의 68나노 D램을 본격 양산할 계획으로 내년 초에는 이 제품이 주류로 떠오를 것”이라며 “60나노대 D램 양산은 세계 최초이며, 기존 8F스퀘어 방식 D램보다 칩 크기가 작은 6F스퀘어 방식을 도입해 경쟁력도 한층 높은 제품이 될 것”이라고 말했다. 하이닉스반도체 고위관계자도 “2월 중에 첫 웨이퍼를 투입해 3개월의 안정기간을 거쳐 5월부터 66나노 D램의 본격 양산에 들어갈 것”이라며 “70나노를 건너뛰고 바로 60나노대 D램 양산에 들어감으로써 수익성을 극대화할 수 있을 것”이라고 밝혔다.
◇해외경쟁사 국내 2사에 비해 한 세대 뒤져=데이터퀘스트와 관련업계에 따르면 미국·독일·일본 등의 D램 경쟁사들은 아직 90나노대 공정이 주류를 이루고 있으며, 80나노 D램 생산량은 10%대에 그치면서 양산에는 고전하고 있어 국내 반도체 2사에 비해 한세대 정도 뒤진것으로 분석됐다. 특히 대만 메모리업체들의 경우 아직 80나노 양산을 시작 조차 못한 곳이 많아 2세대 가량 뒤떨어지는 상태다. 미국의 마이크론테크놀로지만이 현재 78나노 공정의 D램을 양산하고 있으나 아직 생산비중은 높지 않다. 해외 경쟁사들은 특히 아직 60나노대 D램 양산과 관련해서는 계획 조차 발표하지 못하고 있어, 올해를 기점으로 국내 2사와 최소 1년 이상의 격차가 벌어질 것으로 예상된다.
◇국내 D램 2사, 50나노 시대도 앞장=낸드플래시의 경우 삼성전자가 이미 40나노 개발을 마무리했으며 50나노 제품 양산이 초읽기에 들어갔다. 그러나 D램은 낸드플래시에 비해 생산공정이 30% 가량 더 많고 까다로운 캐패시터 공정을 개발해야 하기 때문에, 낸드에 비해 미세공정화가 더디다. 이런 가운데 삼성전자는 지난해 9월 50나노 공정의 D램 개발에 성공했고, 하이닉스반도체도 올해 50나노 D램 개발을 마무리해 2008년부터 본격 양산에 들어간다는 계획을 세워 놓고 있다. 이에 따라 당분간 D램 시장의 미세공정화와 함께, 수익성에서도 국내 반도체업체들의 독주는 계속될 전망이다.
심규호기자@전자신문, khsim@
