인텔, 세계 최초로 45나노 공정 적용한 칩 개발

　인텔이 세계 최초로 45나노 공정을 적용한 S램(SRAM:Static Random Access Memory) 시제품 및 요소기술을 개발, 공정 미세화의 중요한 전기를 마련했다고 인텔코리아(대표 이희성 http://www.intel.com/kr)가 26일 밝혔다.

　인텔의 45나노 공정 기술과 시제품(웨이퍼·사진)은 현재 공급되고 있는 칩과 비교할 때 전력 누출량이 5분의 1 이하에 불과, 모바일 기기의 배터리 수명을 증가시키고 고성능 소형 플랫폼 제작을 가능케 한다.

　인텔은 내년부터 300㎜ 웨이퍼에서 이번 개발 기술을 적용한 칩을 본격 양산할 계획이다. 이를 위해 이미 미국 오리건 공장의 D1D라인에 적용하기 시작했으며, 애리조나 팹32와 이스라엘 팹28도 건설중이다. 이와 함께 인텔은 상용화 단계의 65나노 공정 칩 양산을 위해 올해 애리조나와 오리건의 65나노 적용 라인을 본격 가동할 계획이며, 조만간 완공 예정인 영국 아일랜드 팹에도 적용키로 했다.

　이희성 인텔코리아 사장은 “인텔은 상용화 단계인 65나노 공정의 양산체제를 갖추고, 차세대 공정인 45나노에서 실제 작동이 검증된 시제품 칩을 업계 최초로 선보임으로써, 로직분야에서 선두적 지위를 다시 한 번 입증했다”며 “인텔은 오랜 역사를 통해 소비자가 실제로 혜택을 누릴 수 있는 기술을 구현해 왔다”고 말했다.

　심규호기자@전자신문, khsim@