삼성전자 VLSI학회 `3연패`

　삼성전자(대표 윤종용)는 세계최고 권위의 반도체학회인 ‘VLSI 심포지엄’에서 참가업체 최다인 17건의 차세대 핵심 반도체 기술 논문을 발표, 2003년 이후 3연패를 달성하면서 반도체 분야 최고 기술력을 입증했다고 14일 밝혔다.

삼성전자는 일본 교토에서 개최되고 있는 ‘2005년 VLSI 심포지엄(Symposium on VLSI 2005)에서 △25나노 입체 상보성금속산화막반도체(CMOS) 기술 △256Mb P램용 기술 △대형 LCD 에 적용되는 버스 인터페이스 기술 등 차세대 핵심기술 등 차세대 기술로 업계 이목을 집중시켰다.

VLSI 학회는 1981년 창설되어 매년 6월 미국과 일본에서 번갈아 개최되며, 한 해 동안 세계 각국의 반도체 업계 및 학계에서 응모한 논문 중 가장 뛰어난 성과를 보인 논문을 선정해 발표하는 반도체 분야 세계 최고 권위의 학회다.

이번 VLSI2005에서는 삼성전자가 17편으로 가장 많은 논문이 선정됐으며, IBM 11편, 도시바 9편, 인텔 및 히타치 각각 7편을 포함, 총 178편의 논문이 선정됐다.

삼성전자는 지난 2003년 VLSI학회에서 21건의 논문이 선정됨으로써 최다 논문 선정기업에 올랐으며, 이후 2004년 22편, 2005년 17건으로 VLSI학회 3년 연속 최다논문 선정기업이 되는 성과를 달성했다.

이번 학회에서 삼성전자가 발표한 주요 기술은 △차세대 메모리 P램 분야에서 대용량 256Mb P램에 적용할 수 있는 핵심기술 △나노 트랜지스터 기술한계를 극복하고 차세대 기가급 대용량 반도체 실현에 필요한 25나노 입체 CMOS 기술 △2002년부터 삼성전자가 업계 1위에 올라 있는 LDI분야에서 신개념 버스(Bus) 인터페이스 구조를 통해 대형 LCD 패널과 구동칩(LDI)간의 전자파 간섭 및 전력소모를 획기적으로 줄일 수 있는 기술(WiseBusTM) 등이다.

심규호기자@전자신문, khsim@