팹리스 반도체업체들의 칩 제작을 지원하는 정부의 ‘시제품 제작지원사업’에 0.13㎛ 공정이 올해 처음으로 도입됐다. 이에 따라 0.18∼0.60㎛을 활용하고 있는 국내 팹리스 시스템반도체업계에도 0.13㎛ 공정을 채택한 제품 출시가 이어질 전망이다.
0.13㎛ 공정으로 반도체를 제작하면 0.18㎛급에 비해 2.5배 이상 많은 반도체를 얻을 수 있어 초기투입비용은 크지만 장기적으로 원가경쟁력을 크게 향상시킬 수 있다.
16일 정부와 관련업계에 따르면 정통부와 산자부의 시제품 제작지원사업을 주관하고 있는 IT-SoC사업단과 반도체연구조합은 첨단공정 전환을 시도하는 주요 팹리스 벤처업계를 겨냥, 올해부터 0.13㎛ 공정을 활용한 샘플 칩 제작 서비스를 추가한다.
이미 IT-SoC사업단은 삼성전자·동부아남반도체와 협의해 0.13㎛ 서비스 지원계획을 확정했으며 반도체연구조합도 7월부터 시작되는 신규지원사업부터 이 공정에 대한 지원에 들어갈 예정이다.
국내 팹리스 반도체업체들이 지난해 제품 양산에 사용한 공정은 0.5㎛급 이상이 약 45%, 0.35㎛과 0.25㎛급이 약 20%, 0.18㎛급이 약 35% 등이며 0.13㎛급은 거의 사용되지 않은 것으로 업계는 추정하고 있다.
IT-SoC사업단 측은 “시기적으로 국내 팹리스들이 0.13㎛ 공정을 추진하기 시작했고 삼성전자와 동부아남반도체도 이 공정을 통한 파운드리 생산 지원 의사를 밝혀 도입하게 됐다”며 “지난해까지만 해도 0.13㎛ 샘플 제작에 10억원 이상이 소요됐으나 올해부터 7억원 안팎으로 가격이 떨어져 진 것도 이 공정 도입을 가능케 한 요인”이라고 밝혔다.
그러나 IT-SoC사업단은 0.18㎛ 공정까지는 제작비용의 50% 이상을 지원할 수 있으나, 0.13㎛ 공정의 경우는 최대 2억 5000만원까지(약 30%)만 보조한다.
정부의 시제품 제작지원사업은 반도체생산라인(팹)이 없는 중소·벤처업체들에 정부가 일정의 지원비를 대고 시제품 제작을 해볼 수 있는 기회를 제공하는 것으로, 연구개발을 활성화하고 가능성있는 기술들에 대한 상용화 길을 터준다는 것이 목적이다. 지난 2002년부터 산자부는 한 웨이퍼에서 복수의 샘플을 제작하는 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 사업을, 정통부는 한 웨이퍼에서 한 종류 샘플을 제조하는 싱글런 사업을 중심으로 진행해 왔다.
심규호기자@전자신문, khsim@
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