스팬션, 휴대폰용 신형 노어형 플래시 발표

　노어형 플래시메모리 1위 생산업체인 스팬션(FASL)이 자사의 미로비트 기술을 적용한 신제품을 출시했다.

　스팬션코리아(대표 정철화)는 110㎚ 공정에 미로비트 기술을 적용, 휴대폰에 적합한 노어형 플래시메모리 제품인 ‘스팬션WS256N’을 발표하고 3분기에 양산에 착수한다고 15일 밝혔다.

신제품은 기존의 제품이 3V에서 작용하는 것과 달리 1.8V에서 구동하며 대기전력도 인텔 제품의 110㎂보다 낮은 20∼40㎂ 수준으로 낮췄다고 회사 측은 설명했다. 특히 기존 제품 및 인텔의 제품과 달리 동시에 읽고 쓰기가 가능한 것이 특징이라고 강조했다.

　스팬션측은 신제품군인 WN-L의 256Mb 제품은 3분기에, 128Mb와 64Mb 제품은 4분기에 양산할 계획이다. 또 기존 제품군인 GN-L 제품 등은 셋톱박스 등 소비자 가전을 대상으로 판매하고 내년에 새로운 미로비트 기술을 적용하되 저가 휴대폰 시장을 겨냥한 PL-N 제품군을 내놓고 시장별로 차별화된 전략을 펴 가기로 했다.

스팬션코리아 정철화 사장은 “신제품은 셀당 2개의 데이터를 저장하는 기술을 110㎚ 공정에 적용해 설계한 것으로 기존 제품군에 비해 휴대폰 등 무선 플랫폼에서 활용할 경우 높은 성능을 발휘할 수 있다”며 “현재 삼성전자 등에 샘플을 제공했다”고 말했다.

스팬션은 지난해 7월 AMD와 후지쯔의 플래시메모리 사업부가 합쳐져 세워진 노어형 플래시메모리 생산 전문회사로 전세계에 5개의 팹과 4개의 조립공장을 갖고 있다. 판매 및 영업은 AMD와 후지쯔가 대행한다.

<김규태기자 star@etnews.co.kr>