최대 수요처 이동형 기기 시장 공략 위해
올해 최고의 메모리 효자상품으로 각광받고 있는 플래시메모리의 나노 공정 싸움이 불붙고 있다.
플래시메모리의 최대 수요처인 휴대폰 등 이동형 기기시장 공략을 위해서는 고집적화를 통한 칩 사이즈 소형화와 멀티칩화, 미세공정 도입을 통한 원가절감 등이 관건이기 때문이다.
22일 관련업계에 따르면 세계에서 가장 먼저 90나노급 공정 시대를 연 삼성전자는 이르면 올해 말부터는 70나노급 공정을 도입한 양산에 착수해 플래시메모리 나노 공정시대를 주도한다는 계획이다.
삼성전자 관계자는 “미세가공공정의 도입 일정은 회사별 전략에 따라 차이가 있을 수 있지만 삼성전자는 기술력을 바탕으로 공정 미세화를 적극 추진하고 있다”고 말했다.
인텔은 90나노 공정을 채용한 노어형 플래시메모리를 올해 3·4분기부터 본격 양산한다고 인텔코리아는 밝혔다. 인텔은 지난 3일 90 나노 공정을 채용한 펜티엄4(프레스코트)를 발표해 놓은 상태로, 지금까지 플래시메모리 제조공정은 펜티엄프로세서 제품에 비해 첨단 공정의 적용시기를 다소 늦춰왔다. 따라서 3·4분기부터 플래시메모리 양산에 90나노 공정을 도입하겠다는 이번 발표는 매우 이례적인 것으로, 급속히 확대되고 있는 이동형 기기시장을 선점하겠다는 의도로 풀이된다.
올해 초 낸드형 플래시메모리시장에 진출한 하이닉스반도체도 90나노 공정을 도입한 낸드형 플래시메모리를 3·4분기부터 양산한다는 계획을 내부적으로 설정해 놓고 있다. 하이닉스반도체는 최근 120나노 공정의 플래시메모리를 양산하기 시작했으며 3·4분기부터 양산할 계획인 90나노 공정 제품(모델명 사이클론)을 통해 나노반도체시대를 열어나 예정이다.
현재 110나노 공정 기술로 플래시메모리를 양산하고 있는 FASL(AMD와 후지쯔의 자회사)는 이르면 올 연말께부터 90나노 공정 제품을 출시할 예정이다. FASL측 관계자는 “AMD가 올해 하반기에 90나노 공정으로 중앙처리장치(CPU) 양산 계획을 이미 발표했으며 이와 유사한 시기에 플래시메모리도 양산에 착수 할 수 있을 것”이라고 말했다. FASL측은 90나노 공정기술과 자사의 1셀당 2개의 비트를 집적하는 미로비트 기술을 활용해 경쟁사의 제품보다 효율성이 높은 제품을 공급하게 될 것이라고 강조했다.
한편 인피니온은 지난 1월부터 170나노 공정에서 512메가비트 공정으로 낸드형 플래시메모리를 출시하기 시작한데 이어 올해내에 140나노에서 1기가비트 버전을, 110나노에서 2기가비트 버전을 내놓을 계획이다. 이 회사는 90 나노 기반의 4기가비트 제품의 출시시기는 2006년으로 잡고 있다. 인피니언 관계자는 “인피니언은 식각(트렌치) 방식을 사용하기 때문에 같은 공정 기술을 이용하더라도 경쟁사의 적층(스텍) 방식보가 칩사이즈가 15∼20% 작다”며 “인피니언의 110나노는 경쟁사의 90나노에 준하는 기술”이라고 말했다.
<심규호기자 khsim@etnews.co.kr><김규태기자 star@etnews.co.kr>
