하이닉스, CMOS RF PLL 출시

　하이닉스반도체(대표 우의제 http://www.hynix.com)는 휴대폰 단말기 핵심부품인 고주파(RF) 주파수합성기(PLL·사진)를 상보성금속산화막반도체(CMOS) 공정으로 설계·제조하는 데 성공, 다음달부터 양산을 시작한다고 5일 밝혔다.

　화합물반도체 특수공정이 아닌 0.25미크론(㎛)급 표준 CMOS 공정을 적용한 이 제품은 휴대폰단말기에 대한 원가경쟁력 제고와 함께 전력소모량 감소, 블루투스 싱글칩 등 응용상품 개발이 용이한 것이 특징이다.

　특히 펄스(pulse)-전압변환부의 전류값 차이(charge pump mismatch)가 거의 없고 고주파와 중간주파수(IF)간의 간섭현상과 분수 분주기(fractional-n) 타입의 잡음문제를 완벽히 해결했다고 회사측은 설명했다.

　이 제품은 또 아날로그 방식, CDMA 계열(디지털 휴대폰, K-PCS, US-PCS 방식 등), 유럽형이동전화(GSM), 위치측정시스템(GPS) 등 다양한 무선통신방식을 지원하며 레지스터 값만 변경하면 타사 제품에도 적용할 수 있다.

　하이닉스는 이를 평가보드, 매뉴얼, 구동 소프트웨어 등 개발키트와 함께 제공할 예정이며 구동 소프트웨어는 루프 필터(loop filter) 설계에 최적화값을 미리 제공해 응용제품 개발기간을 단축할 수 있도록 지원할 방침이다.

　하이닉스 관계자는 “국내 고주파 PLL 시장은 미국 내셔널세미컨덕터의 제품이 독식하고 있어 이번 제품 개발로 수입대체효과가 클 것”이라며 “올해 3500억원 규모의 세계시장에서 10% 이상의 점유율을 목표로 하고 있다”고 말했다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>