상온 강자성 물질 개발

　상온상태에서도 반도체가 자성을 가질 수 있도록 하는 신물질이 개발돼 자성반도체 개발에 한걸음 다가서게 됐다.

　울산대학교 조성래·홍순철 교수팀은 반도체 역할을 하면서 상온 57도에서도 자성을 띠는 신물질 ‘MnGeP2’와 ‘MnGeAs2’ 등 두 가지를 개발, 전원이 나가더라도 데이터가 저장되는 자성반도체를 개발할 수 있는 길이 열렸다고 16일 밝혔다.

　이번 연구결과는 기존 반도체에는 없는 자성을 상온에서 가진다는 것이 핵심으로 이를 통해 △전력소비 최소화 △소형·고집적화 △처리속도 향상 △비휘발성 등의 특성을 갖는 자성반도체 개발을 앞당기게 될 전망이다.

　연구팀은 반도체 내의 자성 불순물을 치환하면서 자성을 갖게 하는 데 사용되는 이 두 물질이 기존 물질에 비해 상온에서도 강자성을 보임에 따라 자성반도체의 실용화 전망이 더욱 높아졌다고 밝혔다.

　조 교수팀은 이 연구성과를 내년 3월 미국 텍사스주에서 열리는 미국물리학회 정기총회에서 ‘순수 반도체에서 상온 강자성 현상 발견’이란 주제로 발표할 예정이다.

　 <권상희기자 shkwon@etnews.co.kr>