국내 기술진 개발한 저유전 절연물질, IBM에 채택 유력

　국내 기술진에 의해 개발된 저유전 절연재료(low-k dielectric)가 미국 IBM의 차세대 공정에 적용될 전망이다.

　‘시스템IC 2010 구리배선용 저유전물질 개발사업단’(사업단장 윤도영·차국헌)은 자체 개발한 ‘다공성 유기실리케이트(organic silicate)’방식의 저유전 절연재료가 미 IBM을 통해 우수한 물질 특성이란 평가를 받음에 따라 IBM의 저유전 절연재료로 채택될 가능성이 매우 높아졌다고 12일 밝혔다. 4월 18일자 본지 32면 참조

　사업단이 개발한 ‘다공성 유기실리케이트’ 방식의 저유전 절연재료는 60나노미터(1㎚는 10억분의 1m)급 초미세 D램 및 시스템온칩(SoC) 공정에 필수재료로, 회로간의 간섭을 막을 수 있도록 유전율(k값)을 2.0∼2.2로 낮춘 것이 특징이다. 　

　현재 IBM은 일본의 화학회사 JSR와 사업단의 절연재료를 놓고 채택 여부를 저울질하고 있으나 복수 채택이 유력한 것으로 사업단은 보고 있다.

　사업단의 저유전 절연재료가 IBM에 채택되면 그동안 반도체 원천소재 및 공정 등에서 원천기술을 확보했다는 점에서 의미가 매우 크다. 또 현재 저유전 절연재료 시장을 양분하고 있는 어플라이드머티리얼스의 화학증착(CVD)방식을 이용한 ‘블랙 다이아몬드’와 다우케미칼의 회전코팅(spin-on) 방식의 ‘실크’를 제치고 0.1미크론(1㎛은 100만분의 1m)급 이하의 차세대 공정용 절연재료 시장에 한국이 진입할 수 있는 중요한 전기를 마련할 것으로 업계는 기대하고 있다.

　사업단은 그동안 시스템IC 2010 국책과제로 20억여원의 연구개발비를 투입, 4년여 동안 연구를 진행해 왔으며, 5㎚ 이하의 ‘다공성(공기구멍)’의 신뢰성 제고를 위해 미국 미시간대학과 공동 테스트를 진행해 왔다.

　사업단의 윤도영 교수는 “이 재료의 상용화를 위해서는 추가 연구개발이 필요하다”면서 “양산단계시 발생할 수 있는 불순물(이온) 제거 등을 위해 LG화학과 연구작업을 벌이고 있다”고 말했다.

<손재권기자 gjack@etnews.co.kr>