삼성전자, 0.17미크론 적용 램버스 D램 양산

삼성전자(대표 윤종용)가 회로선폭 0.17미크론(1㎛은 100만분의 1m)을 적용한 3세대 램버스 D램 양산에 돌입, 차세대 고속 메모리반도체 시장선점에 나섰다.

삼성전자는 이번에 0.17미크론의 미세공정을 적용, 기존방식보다 웨이퍼 생산량을 25% 이상 늘려 램버스 D램의 고질적인 문제였던 높은 생산비용 문제를 획기적으로 개선했다고 14일 밝혔다.

이번에 양산에 들어간 288M 램버스 D램은 288M 램버스 D램 모듈(단품 16개) 4개 탑재시 2GB 용량의 메모리를 지원할 수 있다.

또 칩 크기를 축소한데다 내부 신호처리 시간도 단축해 동작속도를 30% 이상 향상시켜 기존 메모리반도체 가운데 가장 빠른 1066㎒(기존 800㎒가 최고)의 초고속으로 핀당 1초에 200자 원고지 약 33만장 분량의 데이터를 전송할 수 있다.

이에 따라 동영상·영상통신·입체영상 등 차세대 멀티미디어PC 및 워크스테이션, 초고속 게임기, 세트톱박스 등 대용량 데이터 처리를 요하는 제품에 두루 쓸 수 있다.

삼성전자는 인텔이 이달 말에 출시할 펜티엄4 제품에 램버스 D램을 채택할 경우 램버스 D램의 수요가 폭발적으로 늘어날 것으로 기대했다.

세계 램버스 D램 시장은 올해 약 17억달러에서 내년께 37억달러, 2002년께 92억달러로 연평균 132%의 고성장이 예상되며 삼성전자는올해 9억달러의 매출로 53%를 점유할 계획이다.

삼성전자는 램버스 D램뿐만 아니라 싱크로너스 D램, 더블데이터레이트(DDR) SD램 제품군에 대해서도 0.17미크론 이하 초미세공정을 적용한 양산체제를 갖춰 메모리시장 1위 유지는 물론 경쟁사와의 격차를 더욱 벌릴 수 있다고 주장했다.

<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>