미 모토로라 M램 시연 성공

모토로라코리아(대표 조지 터너)는 모토로라 연구소와 반도체 사업부 연구소가 공동으로 현재의 D램·S램·플래시메모리 등을 대체할 수 있는 메모리칩인 M램 시연에 성공했다고 17일 밝혔다.

M램이란 자기저항식 랜덤액세스메모리(MRAM:Magnetoresistive Random Access Memory)를 뜻하는 것으로 어드레스 액세스 시간이 15나노초(ns) 이하다.

모토로라코리아 측은 『수십억번의 읽기·쓰기가 가능한 초기 실험 수치는 이 제품이 거의 반영구적으로 사용될 수 있다는 가능성을 보여준 것』이라고 설명했다.

이 제품은 지난 2월에 열린 IEEE 국제 고체 회로 학술 회의와 지난달 열린 IEEE 국제 자기 학회에서 0.6미크론 공정을 사용해 어드레스 액세스 시간 14ns에 성공한 것으로 나타났다.

모토로라 측은 『M램은 무선 제품, 전자 수첩, 자동차 전자제어 제품 등 차세대 휴대용 전자제품의 단일칩 솔루션을 가능케 할 것』이라고 밝혔다.

<김인구기자 clark@etnews.co.kr>