삼성전자, 반도체 초미세회로 형성이 가능한 신감광제 개발

삼성전자(대표 윤종용 http://www.sec.co.kr)는 「마의 벽」으로 여겨지는 반도체 회로선폭 0.10미크론(1미크론은 100만분의 1m) 기술을 구현할 수 있는 새로운 감광제 기술을 개발했다고 13일 밝혔다.

감광제는 설계된 회로에 레이저를 쬐어 웨이퍼 위에 현상할 때 사용하는 고분자 신물질로 반도체 제조 핵심공정인 사진식각 공정의 핵심 기술과제로 떠오르고 있다.

삼성전자가 이번에 개발한 감광제는 반도체 제조 핵심공정인 사진식각 공정에 적용하는 아르곤플로라이드(ArF)의 광원에 적합한 회로형성용 감광제로 그동안 기술적인 한계로 인식되던 0.10미크론 이하의 초미세회로를 형성할 수 있다.

국내외 반도체업체들은 0.1미크론 기술 상용화를 위해 기존의 248㎚(나노미터) 파장의 크립톤플로라이드(KrF) 광원 대신 193㎚ 파장의 ArF 광원 기술을 개발해왔다.

삼성전자는 이번에 ArF 광원용 감광제의 개발로 고해상도와 아울러 회로현상 후 원하는 회로형태를 그대로 유지하는 식각내성을 동시에 확보함으로써 경쟁사들에 앞서 0.10미크론 기술을 상용화할 수 있다고 밝혔다.

이로써 삼성전자는 20002년께부터 본격 상용화할 기가급 반도체시장의 주도권을 잡는 한편, 관련기술의 수출로 앞으로 10년동안 600만달러 이상의 로열티 수입을 올릴 것으로 기대했다.

이와 관련, 삼성전자는 최근 신감광제 관련기술을 미국·일본·대만 등 세계 주요 9개 국가에 특허출원했다고 밝혔다.

<김성욱기자 swkim@etnews.co.kr>