현대전자, 저전압 플래시메모리 3종 개발

현대전자(대표 박종섭)는 2∼3V의 저전압으로 전력소모량을 낮춘 16M 플래시메모리 3종을 개발, 이르면 6월 말부터 세계시장에 본격 출시한다.

이 회사는 이 제품의 생산을 위해 현재 16M D램을 생산해온 이천의 6공장(F6)을 플래시메모리 및 S램 생산라인으로 전환중인데 다음달부터 샘플생산에 들어가 이르면 6월 말부터 양산에 돌입, 올해 3000만달러, 내년에 1억3000만달러의 매출을 올릴 계획이라고 11일 밝혔다.

현대전자가 이번에 개발한 플래시메모리는 3V짜리 1종과 메모리공간을 넓힌 듀얼뱅크형 2V 및 3V짜리 2종이며 90㎱(1나노초는 10억분의 1초)로 빠르게 작동한다.

이 회사는 회로선폭 0.35미크론(1미크론은 100만분의 1m) 공정기술을 적용해 이들 제품을 개발했으며 경쟁사 제품들에 비해 메모리 셀의 크기를 10∼20% 정도 작게 해 이동전화용으로 적합하다고 밝혔다.

또 상반기안으로 0.25미크론 기술을 적용한 32M급 신제품의 개발을 완료해 플래시메모리 주요 공급업체로서의 위상을 높일 방침이다.

플래시메모리는 용도에 따라 이동전화, 세트톱박스, 롬바이오스, 대형 컴퓨터 및 네트워크장비용 NOR형과 디지털 카메라, MP3플레이어, 휴대형 컴퓨터용 NAND형으로 나뉘며 현대전자가 이번에 개발한 제품은 NOR형이다.

현대전자의 관계자는 『외국 모 이동전화업체의 구매 희망 물량이 전체 생산량을 웃돌 정도로 신제품에 대한 호응이 높아 수출 전망이 밝으며 이동전화 생산거점으로 떠오른 우리나라 업체들에 공급해 수입대체 효과를 거둘 수 있을 것』이라고 밝혔다.

업계에 따르면 이동전화용 플래시메모리 수요는 올해 4억4000만개 이상에 이르고 2003년께 7억2000만개로 늘어날 전망이다.

<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>