"차세대 D램 2003년 상용화"

　삼성전자·현대전자·마이크론·인텔·인피니온·NEC 등 반도체 6개사는 공동 개발키로 합의한 차세대 D램에 대해 기존의 램버스, DDR 제품에 비해 고성능이며 256MD램 이상의 대용량 제품으로 개발할 계획이라고 17일 동시에 발표했다.

　이날 발표는 지난해 말 컨소시엄을 구성한 6개사가 구체적인 제품사양과 개발방향을 1월중 공식 발표하겠다는 방침에 따른 것으로, 이로써 가칭 「차세대D램기술(ADT)개발그룹」이라는 컨소시엄이 본격 출범했다.

　컨소시엄은 그렇지만 아직 구체적인 제품사양을 결정하지 않았으며 참여업체간 입장을 고려해 세부 내용을 공개하지 않았다.

　이와 관련, 컨소시엄은 18일부터 이틀 동안 서울 인터컨티넨탈호텔에서 6개사의 실무기술진이 모여 구체적인 제품규격을 논의하고 향후 회의 및 개발일정도 협의할 예정이다.

　컨소시엄의 이날 발표에 따르면 차세대 D램이 기존 램버스와 DDR 제품보다 성능이 향상되고 256MD램에 비해 대용량의 제품을 개발할 계획이다. 따라서 차세대 D램은 데이터 처리속도가 32비트급 이상, 512M 이상의 대용량 제품이 될 가능성이 높으며 0.13미크론 이하의 초미세공정기술을 적용할 것임을 내비쳤다.

　컨소시엄은 또 이번에 차세대 D램의 설계구조는 물론 전기 및 물리적 설계, 지원 칩세트, 모듈기술, 패키징 등 관련 기반기술까지 모두 개발하기로 했으며 일정 조건을 수락하는 업체에 한해 컨소시엄 참여를 받아들이겠다고 발표해 일단 문호를 개방했다.

　컨소시엄은 이번에 개발하는 기술을 PC 및 지원 칩세트 제조업체에 제공해 응용제품을 개발함으로써 2003년부터 차세대 D램을 본격 상용화할 예정이다.

신화수기자 hsshin@etnews.co.kr