TSMC, 고급 내장형 플래시메모리기술 개발

　대만 반도체업체인 TSMC가 고급 내장형 플래시 메모리 기술을 개발했다고 반도체관련 전문뉴스 「세미비즈니스뉴스」가 보도했다.

　TSMC는 이전의 0.5∼0.35미크론 공정보다 한 발 앞선 0.25미크론(1미크론은 100만분의 1m) 공정을 사용한 새로운 내장형(임베디드) 플래시 메모리 기술을 공개했다.

　새 임베디드 플래시 메모리 기술은 적은 전력으로 고성능 기능을 발휘하도록 해주는데 메모리, 로직, 아날로그 기능을 하나의 칩에 구현한 시스템온칩(SOC)과 시스템레벨인티그레이션(SLI) 제품을 겨냥한 것이다.

　마이크 패윌크 TSMC 기업마케팅 부사장은 『임베디드 플래시 메모리는 현재 고속 이동전화용으로 쓰이는 멀티칩모듈(MCM)보다 성능·비용·절전 면에서 더 낫다』며 『임베디드 플래시 메모리가 MCM의 훌륭한 대안이 될 수 있다』고 덧붙였다.

방은주기자 ejbang@etnews.co.kr