日히타치-美LSI로직, "메모리반도체기술 포괄적으로 협력"

　일본 히타치제작소와 미국 LSI로직은 0.10미크론 기술을 포함한 메모리 반도체 기술 개발에 포괄적으로 협력키로 했다고 14일 밝혔다.

　이번 기술 개발 협력에 따라 △0.10미크론 트랜지스터 소자 아키텍처 △0.13미크론 구리배선 기술 △193㎚ 파장 리소그래피 개발 △직접 기록 방식의 E빔 등을 공동 개발할 계획이다.

　두 회사는 미국과 일본의 연구시설을 활용, 50∼100여명의 개발인력을 투입해 2000년 중반 임베디드 D램 시스템 온칩을 출시할 계획이다.

함종렬기자 jyham@etnews.co.kr