메모리 반도체 초미세 회로 공정 기술개발 경쟁 불붙었다

　국내 메모리 반도체 업체들의 초미세회로 공정기술 개발경쟁이 가속화하고 있다.

　특히 이같은 미세회로 공정기술 개발작업이 차세대 첨단 장비 도입과 동시에 이뤄지면서 설비 투자의 최소화로 생산수율을 크게 높이는 일석이조의 효과를 거두고 있다.

　23일 관련업계에 따르면 국내 반도체 업체들은 당초 1∼2년 후에 도입할 예정이던 0.18㎛(1미크론=100만분의 1) 공정 장비를 앞당겨 도입하는 동시에 이전 세대 장비로 차세대 공정을 적용할 수 있는 각종 공정 기술 개발에 적극 나서고 있다.

　세계 최대의 메모리반도체 업체인 삼성전자는 올해들어 기존 장비로 차세대 미세공정을 달성할 수 있는 다양한 기술 개발에 잇따라 성공, 주력 제품인 64MD램의 생산성 향상과 함께 차세대 제품인 256M 및 1GD램의 시장 조기 선점 효과를 거두고 있다.

　우선 올해초 세계 처음으로 개발한 무결정 결함 웨이퍼 기술은 64MD램의 생산수율을 무려 3% 이상이나 향상시켜 막대한 원가 절감 효과를 가져다 준 동시에 추가 설비 투자없이 기존 생산설비의 개선만으로 차세대 제품인 256MD램 양산을 가능케 했다는 설명이다.

　삼성전자는 이와 함께 올해 들어서만 △비파괴 검사를 이용해 반도체 품질 검사를 획기적으로 개선할 수 있는 웨이퍼 검사장비 기술 △256M 및 1GD램 등 고집적 반도체 제조의 핵심 공정인 초미세 에칭작업의 핵심 기술 △반도체 제품 수율에 큰 영향을 미치는 「PR스트리퍼」와 관련된 기술 등을 자체 개발하는 데 성공했다.

　오는 10월 현대반도체(구 LG반도체)와 통합을 앞두고 있는 현대전자도 최근 현재 사용중인 반도체 장비를 활용해 추가 공정없이 0.15㎛ 이하의 초미세회로를 형성하는 차세대 공정 기술을 개발, 생산라인에 적용하고 있다.

　이 기술은 현재 64메가D램 양산에 사용되는 크립톤 플로라이드(KrF) 노광기술의 홀 회로형성 한계 해상도로 알려진 0.20㎛를 극복한 신개념 기술로 현재 256M급 D램 제조라인에 적용하고 있다.

　현대전자는 이와함께 차세대 반도체 노광공정에서 회로선폭의 균일성을 확보하기 위한 필수 재료인 유기 반사 방지막을 비롯해 반도체 제조 공정 가운데 최고의 핵심 기술 영역이라 할 수 있는 리소그래피 분야에서 수백나노미터(1나노미터=10억분의 1m) 수준의 미세 회로선폭 기술을 개발하는 등 미세공정 기술 개발에 총력을 기울이고 있다.

<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>