미쓰비시전기, 미세 홀 패턴 형성 반도체제조기술 개발

　일본 미쓰비시전기가 현행설비를 그대로 이용하면서도 한층 미세한 홀 패턴을 형성할 수 있는 반도체 제조기술을 개발했다.

　「일경산업신문」에 따르면 미쓰비시전기가 개발한 새 기술은 0.18㎛ 홀 패턴 형성이 한계인 기존 불화크립톤(KrF) 엑시머노광기술을 활용하면서도 0.1㎛ 레벨 홀 패턴을 간편하게 형성할 수 있는 홀 형성 방법으로, 첨단제조장비를 도입하지 않고도 반도체의 고집적화를 이룰 수 있어 적은 비용으로 칩 소형화를 실현할 수 있다.

　이 홀 형성기술은 현 주력 D램인 64M는 물론 2백56M급까지 응용이 가능한 기술로 미쓰비시전기는 내년부터 이 기술을 우선 64MD램 제조에 채용할 방침이다.

　새 제조기술의 공정은 △통상의 노광공정으로 홀 패턴을 만든 뒤 △미쓰비시전기가 독자 개발한 수용성 수지 「RELACS제」를 그 위에 입히고 △이를 가열처리해 레지스트(감광성 수지) 속에 존재하는 산성막을 확산시키면 △산 확산에 반응해 홀 패턴의 내벽에는 균일한 경화층이 형성되고 이어 △최종적으로 경화되지 않은 부분을 물로 제거해 미세 홀을 만들어낸다. 이때 홀 폭의 축소 정도는 가열 처리 온도로 간단하게 제어할 수 있다.

　미쓰비시전기 측은 『현 반도체 양산공정에 가장 널리 활용되고 있는 불화크립톤(KrF) 엑시머노광기술로 형성한 0.22㎛ 홀 패턴에 새 기술을 적용시키는 실험을 실시한 결과 0.1㎛ 이하의 미세한 홀을 형성할 수 있는 것으로 나타났다』며 『RELACS제의 최적조건을 찾아내면 0.06㎛ 레벨 홀 패턴의 형성도 가능할 것』으로 보고 있다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>