단암전자통신-RF앰프
지난 90년부터 고주파 무선기술분야에 집중적으로 투자해온 단암전자통신(대표 한홍섭)은 지난해 국내 처음으로 셀룰러 및 PCS 기지국용 HPA를 양산한 데 이어 올초에는 갈륨비소(GaAs) FET소자를 사용한 RF 앰프를 개발, 이번 전자전에 선보였다. 3개월간 1억원을 투자해 개발한 이 제품은 갈륨비소 FET소자를 사용해 전력효율이 높고 증폭이득이 높아 회로구성시 증폭단의 숫자를 줄일 수 있으며 FET 패키지 내부에 임피던스 매칭 방식을 채택해 회로구성이 간단하고 온도에 대한 안정성이 증대돼 제품의 내구성을 향상시킨 점이 특징이다.
또한 이 제품은 온도 및 전압변동에 대한 안정성이 우수할 뿐만 아니라 반사전력에 대한 과부하가 없어 트랜지스터가 안정적으로 작동한다는 장점을 갖고 있다. 이 회사 전찬규 이사는 『이 제품은 그동안 주로 수입에 의존하던 RF AMF에 비해 가격과 성능면에서 손색이 없어 앞으로 국내외 업체들로부터 좋은 반응을 얻을 것으로 기대하고 있다』고 밝혔다.
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