후지쯔, Fe램 대용량화 기술 개발

　일본 후지쯔가 차세대 PC용 메인메모리로 주목받고 있는 강유전체메모리(Fe램)의 기록용량을 대폭 확대하는 새 기술을 개발했다.

　「일경산업신문」에 따르면 후지쯔는 현재 양산제품 64Kb, 시제품 1Mb가 한계인 Fe램의 기록용량을 최대 64Mb·1Gb로 확대하는 기술을 개발하는데 성공했다고 최근 밝혔다.

　이에 따르면 후지쯔는 정보 데이터를 기억하는 메모리 내부의 캐퍼시터 막을 박형화하는 기술을 개발했다. 이 기술은 캐퍼시터 막을 얹는 전극에 10㎚ 두께의 산화 비스무스로 초박막을 만들고 그 위에 탄탈산 스트론튬 비스무스(STB)를 형성하는 방법으로 50㎚의 캐퍼시터 막을 실현했다.

　캐퍼시터 막이 얇아지면 전리현상이 쉽게 일어나기 때문에 그 만큼 기록용량이 확대된다. 현재까지 개발된 가장 얇은 막의 두께는 1백∼2백㎚ 수준이다.

　후지쯔는 오는 2000년부터 새 기술을 제품생산에 도입한다는 방침으로, 이 기술이 양산기술로 이어질 경우 PC용 메인메모리시장의 세대교체시기를 앞당기는데 크게 기여할 것으로 보인다.

　Fe램은 압력을 가하면 결정의 배치가 변해 그 상태를 유지하는 강유전체(Ferroelectrics)라는 소재를 이용한 램으로, 이 제품은 D램과 달리 전원을 끊어도 데이터가 소멸되지 않는 불휘발성을 갖고 있을 뿐 아니라 같은 불휘발성 메모리인 플래시메모리와 비교할 때 데이터를 읽고 쓰는 속도가 약 1백배 빠르다.

이 때문에 Fe램은 당초 D램을 대체할 차세대 대표 메모리로 급속히 부각됐으나 대용량의 한계를 극복하지 못해 아직은 IC카드 등에 사용되는 소용량 제품 시장만이 형성돼 있다. 그러나 세계 반도체업체들은 궁극적으로 Fe램이 연간 약 2백억달러 시장규모를 갖고 있는 D램을 대체할 것이라는 판단 아래 대용량 제품 개발에 박차를 가하고 있다.

〈심규호 기자〉