일본 후지쯔가 유럽지역 메모리공장 건설 계획을 전면 백지화했다.
일본 「日刊工業新聞」에 따르면 후지쯔는 지난 20일 영국 더램공장에 건설할 계획이었던 8인치 웨이퍼를 사용하는 0.32-0.25미크론급 첨단메모리공장을 포기한다고 발표했다. 이 공장은 당초 95년 착공될 예정이었으나, 메모리 시장의 경기부진에 따라 올해로 연기됐었다.
후지쯔의 새 공장 건설 백지화는 반도체시장의 앞날이 불투명한 현 단계에서 투자부담이 가중되는 것을 막기 위한 조치로 풀이된다.
후지쯔는 최근 美그레샴공장과 미국 어드밴스트 마이크로디바이시스(AMD)와의 합작공장인 「후지쯔 AMD 세미컨덕터」에 잇따라 신규 라인을 설치하는 등 투자를 확대하고 있다. 이에 따라 올해 후지쯔의 반도체 투자부담액이 급증했다.
<심규호 기자>
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