日미쓰비시, 16MD램 고속화 전략발표

일본 미쓰비시電機는 고속사양으로의 이행을 골자로 하는 16M D램의 제품전략을 최근 밝혔다고 「日經産業新聞」이 전했다.

이 전략에 따르면 미쓰비시는 내년 말까지 16M D램에서 주력인 EDO(확장데이터출력)사양과 현재 샘플출하중인 싱크로너스(동기식)사양이 차지하는 비율을 합계 90% 이상으로 크게 늘린다.

이는 MPU(마이크로프로세서)의 고속화로 동세대 D램에서 고속사양품의 수요가 높아지고 있는 것에 대응한다는 전략으로 풀이된다.

현재 미쓰비시의 16M제품 구성비율은 50%가 범용품인 패스트페이지(FP)사양, 나머지 절반이 데이터읽기가 보다 빠른 EDO사양으로 돼 있다. 고속의 싱크로너스사양은 아직 샘플출하 단계이다.

미쓰비시는 먼저 올해 말까지 16M에서 점하는 FP를 20%, EDO를 70%, 싱크로너스를 10%로 하고 이어 내년 말까지 이 비율을 FP 5%, EDO 65%, 싱크로너스 30%로 조정할 계획이다.

일본의 반도체 5대업체 가운데 NEC가 16M에서 점하는 싱크로너스의 비율을올해 말까지 30%로 올릴 예정이다. 그러나 미쓰비시측은 싱크로너스로의 수요가 당분간은 본격화가 어려울 것으로 보고 올해 EDO중심의 제품전략을 추진키로 했다.

<신기성기자>