박막(thin film)이란 전자디바이스용 투명전극막、 절연막 및 소자간 분리. 보호막 등을 말한다.
박막은 전자.광학부품이나 표시소자의 전극에 사용되는 1、 비저항이 낮으며2 가시광의 투과율이 높고 3、 막의 표면이 평활한 4、 전기적.화학적 안정성이나 기계적 강도가 우수한 얇은 막을 말한다.
오래전부터 사용되고 있는 막의 재질로는 SnO⁴:Sb막이 있으며 NESA 막이란 이름으로 알려져 있다. 근래에는 증착법이나 스퍼터(sputter)법에 의 해박막을 쉽게 형성시킬 수 있을 뿐 아니라 가공도 용이한 In⁴Oⁿ:Sn막(I TO막)이 많이 사용되고 있으며 그 외에 Cd⁴SnO₁막、 ZnO막 등도 사용되고 있다.
반도체 집적회로의 소자와 소자사이의 분리막이나 반도체칩의 겉에 입히는보호막인 박막은 실리콘(Si)을 직접 열산화하거나 CVD법에 의해 만들어지는 실리콘 산화막이 대표적이다. 그러나 보호막으로는 SiO⁴보다도 치밀한 재질의 플라즈마CVD-SiⁿN₁막이 더 많이 사용되는 추세에 있다.
근래엔 메탄 등의 탄화수소를 원재료로 하는 플라즈마CVD법에 의한 다이아몬드 탄소 박막이 주목을 받고 있는데 다이아몬드는 금제대(전자로 채워진에너지대와 다음의 다른 에너지대사이의 에너지 틈새)가 5.4eV로 투광성이높은 절연체인 점、 불순물을 더빙하면 고온에서 사용되는 고온반도체로서 그 성능이 기대되며、 열전도율이 높아 소비전력밀도가 높은 디바이스의 방 열체가 되는 우수한 소재로서 기대되고 있다.
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