일 미쓰비시, 반도체 반막기술 개발

일본 미쓰비시전기는 외부에서 약한 레이저광을 비추면 빛의 투과성을 크게변화시킬 수 있는 반도체 박막기술을 개발했다고 최근 발표했다.

"일본경제신문"의 최근 보도에 따르면 미쓰비시전기의 반도체기초연구소는광신호를 고속으로 점멸하는 스위치기능및 한쪽면에서만 빛이 통과하는 소자등의 실현에 한걸음 다가섰다.

이 박막기술을 사용하면 기존 메모리의 약 1백배 이상의 처리속도를 가지는광메모리 등을 설계할 수 있는 것으로 알려졌다. 또한 전기회로를 전혀 사용하지 않는 "광컴퓨터"의 실용화도 가능한 것으로 기대되고 있다.

이번에 발견한 박막의 성질은 "비선형광학현상"이라는 것으로 빛이 박막의 원자와 상호작용을 일으킴으로써 빛의 투과율을 극적으로 변화시키는 현상이 다. 이 연구는 독창적인 개인연구를 육성하는 신기술사업단의 "사키가케 연구21" 제도를 이용해 동사의 이시하라가즈연구원이 정리했다. 미쓰비시전기는 이화 학연구소및 동경공업대학, 시즈오카대학 등과 공동연구를 추진, 21세기초실 용화를 꾀하고 있다. <주문정 기자>