현대전자, 16M 싱크로너스 D램 출시 내년 공급

현대전자(대표 정몽헌)가 세계 최고속의 16M 싱크로너스 D램의 샘플출하를 시작했다. 현대전자는 지난해 자체기술로 개발한 16M 싱크로너스 D램의 샘플출하를 이달부터 시작하고 내년중 양산공급할 계획이라고 21일 밝혔다.

16M 싱크로너스 D램은 마이크로프로세서나 멀티미디어용 칩과 함께 사용되는고속메모리반도체로 올해초 국제전자제품표준화위원회인 JEDEC에서 표준안이 통과돼 업체간 기술개발 경쟁이 치열한 제품이다.

현대전자의 16M 싱크로너스 D램은 처리속도가 이 부문의 선두주자인 NEC사제 품보다 2나노초(1나노초는 10억분의 1초)가 빠른 6나노초로 지금까지 발표된 제품중에서는 가장 빠른 속도를 자랑하고 있다. 이 제품은 고속입출력 인터페이스를 채용할 경우 1초에 한글 1억6천5백만자를 전송처리할 수 있는 3백3 0MB/초의 고속동작이 가능하며 칩내부에 두개의 D램을 독립적으로 삽입한" 듀얼뱅크"구조를 채택, 액세스 시간을 단축한 점 등이 특징이다.

현대전자는 이 제품의 개발과정에서 20여건의 독자기술을 확보, 현재 국내외 에 특허를 출원중에 있다고 밝혔다.

16M 싱크로너스 D램은 멀티미디어와 펜티엄PC시장이 본격화될 내년을 기점으로 수요가 급증, 96년에는 전체16M D램시장의 20%, 97년에는 30%를 점유할 것으로 예상되는데 현대의 제품은 0.5umm급 공정기술과 고밀도회로배치기술 을 이용, 칩면적을 기존 16M D램면적과 동일한 89 수준으로 줄여 가격쟁쟁 력확보에도 유리한 것으로 평가되고 있다. <이경동 기자>