금성일렉트론, 20일 4기가 D램 시제품 개발

금성일렉트론(대표 문정환)이 기가(GIGA)급 D램반도체개발을 위한 X선로광기 술개발에 본격 나선다.

금성일렉트론은 포항공대(총장 장수영)와 공동으로 포항가속기연구소의 방사 광가속기를 이용, 0.12㎙급 방사광 X선 로광기술을 공동개발키로 하고 20일 협약을 체결했다.

금성일렉트론이 내년부터 2003년까지 총4백억원을 투입할 이번 X선노광기술 개발사업은 차세대반도체인 4기가 D램의 회로선폭인 0.12㎙급의 미세회로기 술을 확보, 초미세반도체개발에 전기를 마련할 것으로 보인다.

금성과 포항공대는 1차로 방사광X선노광의 기초기술을 확보한후 이 기술을 반도체소자개발에 적용, 오는 2003년까지 엄지손톱크기의 칩에 신문지 3002 천매분량의 정보를 저장할 수 있는 4기가D램시제품을 개발할 계획이다.

노광기술은 미세회로를 웨이퍼에 형성하는 기술로 그동안 자외선등을 사용해왔으나 기가급 반도체에서는 회로선폭이 기존의 64MD램의 0.35㎙에서 1기가 의 경우 0.18㎙, 4기가는 0.12㎙까지 좁아져 자외선사용이 어려워지고 있다.

이에 따라 파장이 극히 짧은(10%정도) X선을 사용할 수밖에없어 X선노광기 술축적이 기가급반도체개발의 관건으로 작용해 왔다.

이번 금성일렉트론과 포항공대의 X선노광기술공동개발은 포항공대에 방사광 가속기가 설치된 이후 산업계와 맺어진 첫 응용사업으로서 향후 방사광가속 기를 이용한 반도체기술개발이 계속 이어질 전망이다. <이경동 기자>