DB하이텍이 차세대 화합물 소재 기반 전력반도체를 내년 1분기에 개발한다. 전력반도체 사업에 나서는 것은 이번이 처음이다.
실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 기반 전력반도체는 실리콘(Si) 반도체 대비 전력 전환 효율이 빠르고 내구성이 뛰어나 전기차 및 5세대(5G) 이동통신 시장에서 수요가 급증할 것으로 전망된다.
DB하이텍은 내년 1분기를 목표로 SiC 기반 6~8인치 전력반도체를 개발하고 있는 것으로 알려졌다. SiC 전력반도체와 함께 GaN 기반 전력반도체 사업까지 동시에 추진한다. 생산 거점을 확보했고, 장비 발주도 추진한다.
DB하이텍은 글로벌 팹리스 고객사가 설계한 마이크로컨트롤러유닛(MCU), 디스플레이구동칩(DDI), 이미지센서(CIS) 등 반도체를 위탁 생산하는 파운드리 업체다. 특히 Si DDI, MCU, CIS 등을 주로 생산했다.
전력반도체 시장 진출은 전기차, 5G 이통, 인공지능(AI) 등에서 수요가 크게 늘고 있기 때문이다. 울프스피드, 온세미컨덕터, 투식스, SK실트론 등이 전기차·5G 수요에 맞춰 6인치 SiC 전력 반도체를 만들거나 8인치로 확대하고 있다.
DB하이텍은 기존 충북 공장 부지를 최대한 활용해 생산 능력에 대응한다. Si 반도체 장비를 활용하거나 SiC 반도체 신규 장비를 일부 추가할 것으로 예상된다.
DB하이텍은 이를 계기로 종합 시스템 반도체 기업으로 도약한다는 계획이다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
