나노융합연구원이 올해 5회째를 맞은 'SIC 심포지엄'에서 전력반도체(WGB) 기술 개발과 사업화를 위해 실리콘 카바이드(SIC), 질화갈륨(GaN), 산화갈륨(Ga203) 기반 전력반도체 생태계 조성을 선언했다. 한국을 차세대 화합물 소재 기반 전력반도체(WGB) 산업 강국으로 위상을 높이겠다는 전략이다.
나노융합기술원은 25일 롯데 호텔 부산에서 열린 '실리콘 카바이드(SiC) 심포지엄'에서 차세대 전력반도체(WGB) 사업화 협력식을 가졌다.
협약식에는 방욱 한국전기연구원(KERI) 박사, 문재경 한국전자통신연구원(ETRI) 박사, 신훈규 포항공대 교수, 구상모 광운대 교수, 차호영 홍익대 교수 등이 참석해 실리콘 카바이드(SIC), 질화갈륨(GaN), 산화갈륨(Ga203) 기반 전력 반도체 기술 개발에 힘을 실었다.
SIC, GaN, Ga203은 전력 반도체 화합물 소재다. 기존 실리콘(Si) 소재 대비 고전압 구현이 가능하고 성능을 안정적으로 유지할 수 있다. Si 소재가 성숙기에 접어들면서 전력반도체 주요 소재로 주목받고 있다.
세계 각국은 전기차, 5세대(5G) 등 전력반도체 상용화를 위한 기술 경쟁을 벌이고 있다. 한국은 이번 협력을 계기로 각 분야 신규 사업을 발굴 기획하고 정부에 건의해 전력반도체 산업을 본격 육성한다.
이날 처음으로 전력반도체 생태계 강화를 위해 소·부·장 연계, 올해부터 기술 개발과 사업화 방향을 공유했다. 포항공대 신훈규 교수는 전력반도체 '붐업'을 위해 협의회 역할과 역할 확대 필요성을 강조했다.
신 교수는 “내년 여섯 번째 심포지엄 공식명칭을 'WGB 심포지엄'으로 변경할 것”이라며 “SIC뿐 아니라 각 소재 기반 강화로 전력반도체(WGB) 사업을 강화할 계획”이라고 밝혔다.
'전력반도체 글로벌 콘퍼런스(ICSCRM)' 국내 유치도 추진한다. 위원회는 ICSCRM 개최 유치위원회 발족 행사를 갖고 유치위 활동에 돌입한다. 2025년 한국 유치를 확정 짓고 내년 스위스 다보스에서 해당 내용의 공식 공표를 위해 활동을 시작할 예정이다. 유치위는 전력반도체 국내외 전력반도체 연구 실적 향상을 추진한다. 산·학·연·관 연계 과제 추진을 통해 메모리 반도체 시장에 이어 전력반도체 시장 강화에 본격 나선다. 삼성전자, SK하이닉스, 현대자동차, SK실트론, LX세미콘 등 국내 반도체 기업 참여와 국책 과제 추진 등 전력반도체 수요-공급 확대를 본격 추진해 나길 계획이다.
김남균 KERI 연구부위원장은 “ICSCRM은 세계적 글로벌 학술 대회로 아시아 국가에서는 일본이 6회로 가장 많이 개최한 바 있다”며 “한국은 반도체 강국으로 전력반도체 시장에서도 위상을 강화하기 위해 노력할 것”이라고 강조했다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
