SK하이닉스는 24일 열린 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 “D램에서의 극자외선(EUV) 공정은 1a 제품부터 양산 적용될 예정”이라며 “2021년 초를 목표 개발 진행되고 있다”고 밝혔다.
현재 SK하이닉스는 1z 16Gb DDR4 제품 개발을 완료했다. 내년 초중반에 LPDDR5 등 후속 파생 제품들이 개발될 예정이다.
통상 D램 공정은 10나노 단위로 미세화가 될 때마다 1x, 1y, 1z, 1a, 1b 등의 단계로 나뉜다.
SK하이닉스 관계자는 “1b급 D램 개발 완료시점은 2022년이고, EUV 적용 레이어를 더 확대할 것"이라고 밝혔다.
강해령기자 kang@etnews.com
