세계 1위 반도체 업체 인텔이 14나노, 10나노에선 파생 공정을 운용한다. 반도체 업계 전반적으로 미세공정 전환 주기가 길어질 전망이다.
마크 보흐 인텔 생산그룹 이사는 16일(현지시각) 미국 샌프란시스코 모스콘센터에서 개최된 인텔개발자포럼(IDF) 2016 기술 세션에서 이 같은 사실을 밝혔다.
보흐 이사는 “14나노에선 14, 14+, 10나노에선 10, 10+, 10++ 공정을 운용할 계획”이라고 말했다. 올 하반기 공식 출시되는 7세대 코어 프로세서인 카비레이크가 14+ 공정으로 생산된다. 카비레이크는 브로드웰(5세대), 스카이레이크(6세대)의 뒤를 잇는 인텔의 세 번째 14나노 칩이다. 10나노에선 10+와 10++ 공정이 추가되는 만큼 관련 칩 종류가 늘고 공정 주기도 길어질 전망이다.
7나노대 공정에선 극자외선(EUV) 노광 장비가 활용된다는 계획도 밝혔다. 보흐 이사는 “7나노 칩 특정 레이어(층)에선 EUV를 활용한다”며 “포토레지스트(PR) 등 글로벌 우수 협력사와 관련 재료, 부품 기술도 개발 중”이라고 말했다.
인텔의 경쟁사도 비슷한 움직임을 보이고 있다. 삼성전자와 TSMC는 이미 14/16나노에서 파생 공정을 여러 개 운용 중이다. TSMC는 16나노 핀펫(FF)과 핀펫 플러스(FF+), 핀펫 콤팩트(FFC) 공정을 갖췄다. 삼성전자도 1세대 14나노 공정인 14 LPE(Low Power Early)와 2세대 LPP(Low Power Plus)에 이어 3세대 LPC(Low Power Compact)를 상용화한다.
EUV 노광 장비 도입 시기 역시 겹친다. 삼성전자, TSMC 모두 7나노 공정에서 특정 패턴 레이어에 EUV 장비를 도입하겠다는 계획을 세워뒀다. 10나노까진 현재 활용하고 있는 이머전 노광 장비로 두 번 혹은 세 번에 나눠 패턴을 새기는 멀티 패터닝 기법을 그대로 활용한다.
업계 관계자는 “14/16나노 이하로는 공정 전환 시기가 굉장히 길어지고 있다”며 “그 만큼 생산 난이도가 높아졌다는 뜻”이라고 말했다. 이 관계자는 “7나노에서 EUV가 본격적으로 도입되기 시작되면 장비, 소재 분야에서도 큰 변화가 일어날 것”이라며 “증착과 식각 공정이 줄고, 소재 분야에서도 EUV에 대응할 수 있는 특정 몇 개 업체가 수혜를 입을 것”이라고 말했다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com
