ST마이크로일렉트로닉스 한국지사(대표 마르코 카시스)는 탄화규소(SiC) 소재 전력반도체 다이오드와 MOSFET를 출시했다고 19일 밝혔다.
SiC소재는 와이드 밴드갭(Wide-bandgap)으로 불린다. 결정 내에서 전자가 움직이는 에너지 대역인 밴드갭이 넓다는 뜻이다. SiC 소재 반도체는 기존 실리콘(Si) 제품보다 더 높은 전압과 온도에서 작동 가능하다.
650V SiC 다이오드는 자동차 품질 인증인 AEC-Q101을 취득했다. DO-247로 패키징돼 양산중이다. 소형 저전력 폼펙터 TO-220 패키지 옵션도 제공한다.
TO-220AC 폼팩터 패키지로 샘플 테스트 중인 1200V SiC 다이오드는 이달 내 양산을 시작한다. 전장용 제품은 올해 말 양산한다. 6~20A 다전류 등급 패키징이 가능하다.
650V SiC MOSFET은 HiP247 패키지 형태로 주요 공급처에서 샘플 테스트를 받고 있다. 내년 상반기부터 양산한다. 전기차(EV/HEV) 메인 인버터(주파수 20㎑)에 적용했을때 동급 IGBT보다 3% 더 높은 효율을 기대할 수 있다는 게 회사 측 설명이다.
SiC 기반 제품에는 바디 다이오드가 내장된다. IGBT에 필수인 환류 다이오드를 놓을 필요가 없어 크기, 무게, 비용 등을 줄일 수 있다.
마리오 알레오 ST마이크로 파워트랜지스터 사업부장(부사장)은 “자동차 제조사와 티어1 전장 부품 업체(1차 벤더)가 실리콘 소재보다 효율이 좋은 SiC 기반 제품 적용을 검토하고 있다”며 “내년에 650V SiC MOSFET, 1200V SiC 다이오드의 AEC-Q101 인증을 마무리 할 것”라고 말했다.
이종준기자 1964winter@etnews.com
