삼성전자는 25일 256기가바이트(GB) 스마트폰용 저장장치 유니버셜플래시스토리지(UFS:Universal Flash Storage) 2.0을 양산한다고 밝혔다.
UFS는 국제 반도체표준화기구 제덱(JEDEC)이 규정한 최신 플래시메모리 인터페이스 규격이다. 임베디드멀티미디어카드(eMMC) 저전력 특성과 솔리드스테이트드라이브(SSD) 고속 특징을 모두 갖췄다.
삼성전자는 신제품에 3D V낸드플래시를 적용했고 독자 개발한 고성능 컨트롤러를 탑재했다.
2개 데이터 전송 통로(Lane)를 구성해 연속 읽기 속도는 초당 850MB, 연속 쓰기 속도는 초당 260MB를 구현했다. 연속쓰기 속도는 외장형 고속 마이크로SD카드보다 약 3배 빠르다.
시스템 속도에 가장 큰 영향을 미치는 임의 읽기/쓰기 속도도 기존 UFS(1만9000아이옵스/1만4000아이옵스)보다 두 배 이상 빠른 4만5000/4만아이옵스를 달성했다.
최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 “이번 UFS 메모리 출시로 메모리카드 시장 성장 패러다임도 성능 중심으로 빠르게 전환될 것”이라며 “향후 대용량 콘텐츠 시대를 겨냥해 NVMe(Non-Volatile Memory express) SSD, 포터블 SSD, UFS 등 3대 프리미엄 제품군 성능과 용량을 동시에 높여가겠다”고 말했다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com
