삼성전자가 세계 최초로 3세대(48단) 3차원 낸드플래시를 양산했다. 기존 2세대(32단) 제품보다 데이터 저장 용량이 두 배 커지고 소비 전력은 30% 줄었다.
삼성전자는 기존 2세대 128기가비트(Gb) 낸드보다 용량을 갑절 향상시킨 256Gb 3차원 V낸드를 양산했다고 11일 밝혔다.
256Gb V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀(Cell)을 기존 32단보다 1.5배 더 쌓아 올려 48단으로 구성하는 첨단 기술을 적용했다.
셀을 형성할 단층을 48단으로 쌓은 뒤 약 18억개 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음 총 853억개 이상 셀을 고속 동작시킨다. 이 때 각 셀마다 3개 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2560억개 데이터를 읽고 쓴다.
3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조, 48단 수직 적층 공정, 3비트 저장기술을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더 빠르게 저장하고 소비 전력량을 30% 이상 줄였다.
기존 32단 양산 설비를 최대한 활용해 제품 생산성을 약 40%나 높여 원가 경쟁력도 대폭 강화했다고 회사 측은 설명했다.
이번 256Gb V낸드 칩 하나만으로 스마트폰에 적용하는 32기가바이트(GB) 용량 메모리카드를 만들 수 있다.
기존 128Gb 칩으로 구성한 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 크기는 같으면서 용량은 갑절 높일 수 있다. 테라바이트급 SSD를 대중화하는 데 속도를 낼 수 있다.
삼성전자는 쓰기 성능과 절전 효과를 동시에 높여 글로벌 기업이 효율적인 차세대 대규모 스토리지 시스템을 구축하는 데 크게 기여할 것으로 기대했다. 또 테라급 SSD 대중화를 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산 투자를 계획대로 추진할 예정이다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자에게 더욱 편리한 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”며 “V낸드 기술 우수성을 최대로 발휘할 수 있는 초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 지속 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나가겠다”고 말했다.
배옥진기자 withok@etnews.com
