삼성전자는 이달부터 세계 최초로 ‘20나노 4Gb DDR3 D램’ 양산을 시작했다고 11일 밝혔다.
20나노 D램은 지난 2012년 삼성전자가 세계 처음 양산한 25나노 D램보다 30% 이상, 30나노급 D램보다 2배 이상 생산성이 각각 높다.
삼성전자는 독자 기술을 이용해 기존 설비만으로 20나노 D램 미세화 기술의 한계를 돌파하고 최소형 4기가비트 D램을 양산할 수 있는 기술을 확보했다.
20나노 D램에는 개량형 이중 포토 노광 기술과 초미세 유전막 형성 기술이 동시에 적용됐다. 개량형 이중 포토 노광기술로 D램 공정 한계를 극복하고, 기존 포토장비로 20나노는 물론 10나노급 D램도 양산할 전망이다.
셀 캐패시터 유전막을 형성하는 물질을 기존 나노단위에서 옹스트롬(10분의 1 나노) 단위로 초미세 제어하는 기술도 활용됐다. 삼성전자는 이 기술로 유전막을 만들어 20나노에서도 우수한 셀 특성을 확보했다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장은 “저전력 20나노 D램은 PC 시장에서 모바일 시장까지 빠르게 비중을 확대하며 시장의 주력 제품이 될 것”이라며 “향후에도 차세대 대용량 D램과 그린메모리 솔루션을 출시해 글로벌 고객과 함께 세계 IT 시장 성장에 크게 기여할 것”이라고 말했다.
이호준기자 newlevel@etnews.com
