지난해 어려움을 겪었던 삼성전자 시스템LSI사업부가 새해에는 부진을 만회할 수 있을지 주목된다. 애플리케이션프로세서(AP)와 반도체 외주 공정(파운드리) 사업의 동반 실적 하락과 더불어 신규 아날로그반도체 연구개발(R&D)에도 난항을 겪었던 만큼 새해에는 시장 주도권을 다시 잡지 못하면 아예 경쟁에서 도태될 수 있다. 그나마 최근 시장 추세가 삼성전자에 유리한 방향으로 흘러가고 있다는 점은 다행이다.
삼성전자는 최근 출시한 양극성 절연게이트 트랜지스터(IGBT) R&D를 잠정 중단했다. 무선충전칩 개발이 지연되면서 애를 먹었던 아날로그반도체 사업은 또 한 번 벽에 부딪혔다.
시스템LSI 사업부는 지난해 세계 처음 출시한 옥타코어 AP `엑시노스5410`의 발열 문제로 곤혹을 치렀다. 스마트폰에 거의 채택되지 않은데다 퀄컴·애플의 28나노 AP 파운드리 물량이 경쟁사로 분산되고 아이폰5S 판매가 예상보다 적어 실적도 급감했다.
여러 악재가 겹치면서 지난 연말 파운드리사업부장과 M&C(모뎀&커뮤니케이션)사업부장을 포함한 부사장급 3명과 전무·상무 팀장들이 대거 옷을 벗는 등 대대적인 문책성 인사도 있었다.
삼성전자는 새해 실리콘관통전극(TSV) 등 메모리 사업부와 시너지를 통해 다시 한 번 AP 시장 주도권을 잡는다는 계획이다. 이달 미국 라스베이거스 `CES 2014`에서 최근 출시한 LPDDR4 D램과 AP를 실리콘관통전극(TSV)으로 연결한 AP를 공개할 것으로 예상된다. TSV는 메모리와 시스템반도체를 쌓은 뒤 작은 구멍을 뚫어 하나의 전극을 사용하는 기술이다. 메모리·AP·모뎀(베이스밴드) 기술을 모두 보유한 삼성전자가 유리하다. TSV 공정 제품은 당초 지난해 중순 양산할 계획이었지만 수율이 낮고 시장 수요가 적어 양산 일정이 미뤄졌다.
파운드리 사업에서는 최근 28나노를 사용하는 국내 업체 2~3곳과 생산 계약을 맺는 등 가동률 올리기에 주력하는 한편, 내년 하반기 완공될 화성 17라인과 미국 오스틴 팹을 활용해 하반기부터 애플 14나노 AP를 양산할 계획이다.
삼성전자 관계자는 “강도 높은 구조조정이 있었던 만큼 새해에는 성과를 내야 한다는 분위기가 강하다”며 “새로운 패키지 기술과 수요가 급증하는 공진방식 무선충전이 상용화돼 기회가 많다는 점에서 시스템반도체 사업이 승부수를 던질 수 있을 것”이라고 말했다.
오은지기자 onz@etnews.com
