`3차원(D) 핀펫` 기술이 고집적 반도체 기술 발전 로드맵을 좌우할 핵심기술로 지목됐다.
5일 대한전자공학회 주최로 제주 라마다호텔에서 개막한 `국제 반도체 디자인 콘퍼런스(ISOCC) 2012`에서 기조연설자로 나선 최규명 삼성전자 시스템LSI 사업부 전무는 향후 첨단 미세공정을 위한 삼성전자의 3D 핀펫 기술 개발이 최근 완성 단계에 이르렀다고 밝혔다.
이 날 최 전무는 반도체 업계의 기술 발전 추세와 삼성전자의 새 공정 기술, 근래 발표된 20나노미터(nm)와 14나노급 미세 공정을 중점 소개했다.
그는 “20나노이하 미세 공정부터는 집적 한계를 극복하기 위해 3D 핀펫 기술이 중요해지며 모바일 시스템 반도체 수요는 해당 기술을 적용한 통합 모바일 칩에 집중될 것”이라며 “그간 연구개발 결과 3D 핀펫 기술이 리키지(신호·전류·전압 등이 회로 설계대로 흐르지 않고 새는 현상)를 막고 고성능, 고집적을 보장하는 최상의 기술”이라고 확신했다.
핀펫은 `Fin(물고기의 지느러미) Field Effect Transistor`의 약자로 지난 1999년 미국 버클리대에서 처음 개발된 3차원 소자구조 명칭이다. 2차원 평면 소자구조 크기를 줄일 때 한계로 알려진 단채널 효과를 줄이고 작동전류 크기를 증가시키기 위해 개발됐다. 시제품이 나오기 시작한 것은 지난해부터다.
이외에도 최 전무는 효율적인 반도체 대량 생산을 위한 생산설계(DFM) 기술과 3D 통합칩을 겨냥한 TSV 기술 등을 소개했다.
또 이 날 첫 기조연설자로 나선 치푼 챈 시놉시스 공동 대표는 `반도체 산업을 변화시키는 힘`을 주제로 미래 반도체 설계 기술이 직면한 여러 가지 문제점을 진단하고 이를 해결하기 위한 다양한 전략을 제시했다.
올해 9회를 맞이하는 ISOCC는 국내에서 최대 반도체 학술 행사 가운데 하나로 매년 400명에 달하는 산학연 전문가들이 모이는 학술 교류의 장으로 자리매김했다.
정미나기자 mina@etnews.com
