삼성전자가 반도체 사업 시작 30년만에 중국 생산 시대를 연다. 삼성전자는 오는 12일 중국 산시성(省) 시안시(市)에서 낸드플래시 팹 기공식을 개최하고, 내년 말 가동을 위해 공장 건설에 박차를 가할 예정이다. 삼성전자가 해외에 반도체 팹을 건설하는 것은 1996년 미국 오스틴에 이어 두 번째다. 특히 삼성 반도체 사업의 효시로 꼽히는 `64k D램 개발(1983년)` 이후 30년만에 중국 생산을 통해 세계 최대 시장 공략에 본격 나선다.
삼성전자는 12일 중국 산시성 시안시의 하이테크기술산업개발구 공장 부지에서 낸드플래시 팹 기공식을 개최한다고 10일 밝혔다.
이날 기공식에는 권오현 부회장과 장원기 중국본사 사장을 비롯한 삼성전자 고위 임원진과 윤상직 지식경제부 제1차관, 국내외 협력사 대표 등이 대거 참석할 예정이다. 또 중국 현지 정부 고위 관계자들은 물론이고 리커창 부총리도 참석할 가능성이 있는 것으로 전해졌다. 삼성은 한·중 수교 및 중국 시장 진출 20주년에 열리는 행사의 상징성에 걸맞게 부총리 참석을 위해 공을 들이고 있는 것으로 전해졌다. 지난 6월 권 부회장과 이재용 사장이 리커창 부총리를 직접 만나 중국 사업과 관련한 다양한 의견을 나눴다는 점에서 삼성의 중국 사업에도 더욱 힘이 실릴 전망이다.
삼성전자는 내년 말부터 시안 낸드플래시 팹을 본격 가동할 계획이다. 최종적으로 300㎜ 웨이퍼 투입 기준 월 10만장 수준까지 생산 물량을 확대할 예정이다. 시안 팹에서는 10나노급 최첨단 공정을 적용한 낸드플래시가 생산된다.
총 투자 규모는 70억달러로 삼성의 해외 단일 투자로는 역대 최대 규모라는 점에서 주목된다. 삼성전자는 중국 내륙 중앙에 위치한 시안시의 지리적 이점을 이용해 남부 및 중서부 해안가 IT 생산 거점의 반도체 수요에 적극 대응한다는 전략이다.
사상 최대 규모 외자를 유치한 중국 현지 정부도 이미 다양한 지원방안을 내놓았다. 인근 고속도로에서 공장까지 이어지는 구간에 전용 간선도로를 건설하고, 공장 부지도 무료로 제공하는 등 파격적인 조치가 이어졌다.
삼성전자 관계자는 “중국 시안 낸드플래시 팹은 세계 최대 시장으로 부상한 중국 수요에 적극 대응하기 위한 투자”라며 “기공식 이후 건설에 박차를 가해 내년 말 양산 일정에 차질이 발생하지 않도록 할 것”이라고 밝혔다.
양종석기자 jsyang@etnews.com
