관련 통계자료 다운로드 D램반도체 연도별 비중 전망 삼성전자와 하이닉스반도체가 올해 말 차세대 D램반도체 `DDR4` 양산에 돌입, 세계 메모리 시장을 선도한다.
4일 삼성전자, 하이닉스 등은 최근 미국 샌프란시스코에서 열린 `국제고체회로학술대회(ISSCC) 2012`에서 30나노급 DDR4 시제품을 선보였다고 밝혔다.
양사는 이번에 선보인 시제품은 30나노급 미세공정을 통해 개발했지만 올해 말에는 20나노급 공정을 적용해 양산에 돌입할 계획이다.
DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 2배 가량 높인 차세대 D램 규격이다. 선보인 시제품은 반도체표준협의기구(JEDEC) 규격을 적용한 것이다. 글로벌 메모리 반도체 업체 중에서 DDR4 시제품을 개발한 기업은 삼성전자와 하이닉스가 유일해 향후 DDR4 표준화를 국내 업체들이 주도할 가능성이 높아졌다.
삼성전자가 선보인 DDR4 메모리는 1.2볼트 저전압에서 3200㎒로 작동하고 하이닉스 제품
은 동일한 전압에서 2400㎒로 동작했다. 양사 시제품은 1.5볼트에서 동작하는 DDR3 메모리에 비해 40~50%까지 전력 소모를 줄일 수 있다.
양사 관계자에 따르면 고사양 PC나 초소형 서버 시장을 겨냥해 올해 말부터 20나노급 미세공정을 적용해 양산에 돌입할 계획인 것으로 알려졌다.
하이닉스 마케팅본부장 김지범 전무는 “하이닉스가 개발한 DDR4 시제품은 친환경〃저전력〃고성능 특성을 모두 만족했다”며 “기존 PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것”이라고 말했다.
시장조사업체인 아이서플라이에 따르면 전체 D램 반도체 중 DDR4 비중은 내년 1% 수준으로 진입 단계를 거쳐 오는 2015년께 45%를 넘어서면서 시장 주력제품으로 자리 잡을 것으로 전망했다. 또, DDR3 제품 비중은 지난해 72%로 최고치를 기록한 이후 계속 감소해 2015년께에는 15%로 내려앉을 것으로 내다봤다.
DDR3, DDR4 D램반도체 연도별 비중 전망
(자료:아이서플라이)
서동규기자 dkseo@etnews.com
