삼성전자(대표 최지성)는 세계 최초로 ‘3D-TSV(실리콘관통전극)’ 기술을 적용한 서버용 32GB D램 모듈을 개발했다고 17일 밝혔다.
3D-TSV(Through Silicon Via) 기술은 수십 ㎛ 두께의 실리콘칩에 구멍을 뚫고, 동일한 칩을쌓아 관통전극으로 연결한 최첨단 반도체 패키징 기법이다. 이렇게 하면 적은 면적에 용량을 증가시키는 것은 물론 속도도 향상시킬 수 있다.
삼성전자는 30나노급 4Gb DDR3 D램을 적층해 32GB D램 모듈을 만들었다. 삼성전자는 샘플을 서버업체와 CPU업체에 공급했으며 내년에 양산한다는 목표다.
삼성전자는 이에 앞서 지난해 12월 40나노급 2Gb DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 적층한 8GBDDR3 모듈 개발에 성공한 바 있다. 내년에는 20나노급 D램으로 32GBB 이상 대용량 서버용 메모리도 개발할 계획이다.
3D-TSV 기술은 용량을 늘리거나 속도를 향상시키는 데 탁월하다. 이번 32GB 제품을 사용하면 기존 방식 모듈을 탑재한 서버에 비해 속도가 67% 향상된다. 기존 제품이 800Mbps로 동작하는데 비해, 3D-TSV 32GB 모듈을 사용하면 1333Mbps까지 고속 동작이 가능하기 때문이다. 또 소비전력을 대용량 서버에 사용되는 30나노급 32GB 모듈보다 30% 이상(시간당 4.5W) 절감했다.
삼성전자 홍완훈 부사장은 “32GB TSV 서버 모듈 제품은 차세대 대용량 서버가 요구하고 있는 고성능·저전력 특성을 확보했다”며 “향후 더욱 성능을 높인 대용량 메모리 공급으로 프리미엄 그린메모리 시장을 지속 확대시켜 나갈 것”이라고 말했다.
문보경기자 okmun@etnews.com
