삼성전자가 세계 최고속 낸드플래시 제품을 내놨다. 데이터 처리 속도가 400Mbps인 이 제품은 기존 범용 낸드플래시에 비해 처리 속도가 10배 가량 빠르다. USB메모리카드에서 PC로 1.4GB 영화 파일을 전송할 경우, 범용 낸드플래시는 35초가 소요되는 반면 이번 제품은 3.5초면 다운로드가 완료된다.
삼성전자는 현재까지 출시된 낸드플래시 제품 가운데 데이터 처리 속도가 가장 빠른 고속 낸드플래시를 양산한다고 12일 밝혔다.
이 제품은 초고속 낸드플래시 규격인 토글(Toggle) DDR 2.0을 적용한 20나노급 64기가비트(Gb) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시다. 데이터 처리 속도가 400Mbps에 달해 기존 싱글데이터레이트(SDR) 방식의 범용 낸드플래시(40Mbps) 대비 10배, 토글 DDR 1.0 방식의 제품(133Mbps)에 비해 3배 빠르다.
64Gb 토글 DDR 2.0 MLC 낸드플래시는 기존 제품에 비해 속도가 두 배 이상 빨라진 USB 3.0과 SATA 6Gbps 등의 차세대 인터페이스를 적용한 고성능·대용량 제품에 적합한 낸드플래시 솔루션이다.
삼성전자는 지난해 토글 DDR 1.0 방식의 20나노급 32Gb MLC 낸드플래시를 업계 처음으로 양산한 데 이어 이번에 용량 2배·속도 3배·생산성이 50% 향상된 차세대 낸드플래시를 양산해 관련 시장을 지속적으로 주도할 수 있게됐다고 설명했다.
홍완훈 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 “이번 고속 낸드플래시 양산을 통해, 4세대 스마트폰, 태블릿PC, 6.0Gbps 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 비약적으로 성장하는 신제품 시장을 이끌 계획”이라며 “앞으로도 초고속·대용량 차세대 토글 DDR 낸드플래시 솔루션을 원활하게 공급해 소비자들이 더욱 향상된 모바일 제품을 활용할 수 있도록 하겠다”고 말했다.
한편 하이닉스, 도시바, IMFT 등 주요 낸드플래시 업체들도 올 하반기 양산을 목표로 동일한 성능의 낸드플래시 제품 개발을 내놓을 계획이다. 이에 따라 올 하반기에는 낸드플래시 성능 경쟁이 치열해질 전망이다.
하이닉스는 낸드플래시의 새 표준 규격인 온파이(ONFI) 3.0을 적용, 올 하반기 양산을 목표로 20나노급 400Mbps 속도를 내는 낸드플래시를 내놓을 계획이다. 또, 삼성전자와 동일한 방식인 토글을 채용한 도시바도 하반기를 겨냥하고 있다. 도시바는 지난해 토글 모드 DDR 1.0버전 제품의 양산에 들어갔으며 올 하반기 출시를 목표로 토글 모드 DDR 낸드 2.0버전을 개발하고 있다.
서동규기자 dkseo@etnews.co.kr
