KAIST 테라랩은 지난 4년 간 3D IC (3차원반도체)의 핵심인 TSV (Through-Silicon-Via: 실리콘관통전극)에 대한 연구 및 전기적 설계 응용 기술을 하이닉스 반도체와 공동 개발, 기술이전했다. 단기적인 기술이전 사업이 아니라, 최근에도 꾸준히 공동 기술개발을 진행하고 있다.
이 기술은 디지털 IC 환경 부문에서 국제적으로 능력을 인정받고 있는 테라랩의 PCB(인쇄회로기판)와 SiP(시스템패키지)의 전자파 해석 및 설계 기술이 기반이 됐다. TSV 기반으로 3D IC를 제작하는데 있어 전기적인 설계 기초를 확보하고 있다.
‘TSV’란 웨이퍼에 관통 전극을 형성, 칩을 적층하는 기술로 패드와 단자 간 와이어 연결을 위한 공간 등 불필요한 크기를 줄여 고성능·저전력을 구현하는 첨단 반도체 기술이다.
연구진은 기존 IC 설계 기술에 전자파 해석 및 설계 기술을 접목함으로써 IC와 패키지의 중립적 성격인 3D IC에 대한 설계에 새로운 방향을 제시했다는 평가를 받고 있다.
미래 3D IC 제품의 극소형화, 저전력화, 고성능화 및 고부가가치화에 크게 기여할 것으로 내다보고 있다.
테라랩은 향후 단순한 전기적 해석 및 설계 기술뿐만 아니라 열이나 기구적인 문제가 결부된 3D IC 설계 기술을 꾸준히 개발해 나갈 예정이다.
대전=박희범기자 hbpark@etnews.co.kr
