하이닉스 “올해 3조4000억원 시설 투자”

　하이닉스는 올해 해외법인을 포함해 입고 기준으로 3조4000억원 규모의 시설 투자를 집행할 계획이라고 6일 밝혔다.

　이 회사는 지난해 반도체 시설 투자에 3조3800억원 가량을 투자한 바 있다. 규모상으로는 비슷하지만 원화 강세에 따라 장비 투자 등은 소폭 증가할 것으로 예상된다.

　업계에서는 하이닉스가 D램에 2조원 이상, 낸드플래시에 1조원 가량 투자할 것으로 전망하고 있지만 시장 상황에 따라 낸드 투자가 증액될 가능성도 배제하기 어렵다.

　대부분의 메모리 기업들이 D램 시황 악화에 따라 D램 투자는 줄이는 한편 낸드플래시에 대한 투자는 확대하는 추세이기 때문이다.

　이와 관련 권오철 사장은 최근 “시황이 급변하고 있어 매달, 매주 투자계획이 수정될 정도”라며 시장 상황에 따라 유연하게 대처해 나가겠다는 원칙을 밝힌 바 있다.

　지난해의 경우 하이닉스는 애초 2조3천억원을 투자하기로 했다가 이후 반도체 호황과 삼성전자의 공격적 투자 등을 감안해 1조원 이상 투자금액을 늘렸다.

　한편 삼성전자는 지난 5일 2011년 반도체 투자를 전년에 비해 15% 줄인 10조3000억원을 투자한다고 발표했다.

유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr