`STT-램`이란

◇스핀주입 자화반전 메모리(STT램: Spin Transfer Torque-RAM)= 자기터널접합(MTJ)이라는 2개층의 자성물질구조를 트랜지스터로 활용, 전류가 통했을 때 2개층의 자화방향이 일치하느냐 여부에 따라 1과 0으로 데이터를 저장한다. D램이 커패시터에 전자를 가둬 0과1의 신호로 정보를 저장, 처리하는 것과 다른 원리다. STT램은 플래시 메모리처럼 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성이면서도 S램급 고속 동작이 가능하다. 또한 D램과 낸드플래시의 미세 공정 한계로 여겨지는 10나노급 이하 극미세 공정까지 가능해 테라비트(Tb)급의 집적도를 올릴 수 있는 유일한 차세대 메모리로 주목받고 있다. 현존하는 D램은 물론 S램과 45나노대 플래시 메모리, 궁극적으로는 낸드플래시 메모리까지 대체할 수 있는 기술로 꼽히기도 한다.

서한기자 hseo@etnews.co.kr