2012년 반도체 양산에 EUV 노광장비 적용

　삼성전자가 차세대 반도체의 핵심 공정기술인 극자외선(EUV) 노광장비를 오는 2012년까지 양산에 적용하겠다는 의사를 밝혔다.

　EUV 노광은 현 20나노급의 한계를 극복할 수 있는 가장 유력한 대안 기술로 꼽힌다. EUV 노광기술의 양산 적용에 미온적이었던 세계 최대의 파운드리업체인 대만 TSMC도 처음 시험용 장비를 도입하는 등 주요 반도체업체의 관심이 최근 고조됐다.

　지난 21일(현지시각)부터 미국 새너제이에서 광그래픽설비엔지니어링학회(SPIE)가 개최한 ‘차세대 노광기술 2010’ 콘퍼런스에서 여정호 삼성전자 수석연구원은 “삼성전자는 오는 2012년까지 EUV 관련 설비 구축을 완료해야 한다”면서 “이맘때까지 비록 제한적이라도 EUV 노광기술로 제품 양산을 기대한다”고 밝혔다.

　삼성전자는 이미 ‘ASML’에 시생산용 EUV 장비 한 대를 발주했다. 대만 TSMC는 차세대 노광기술로 ‘마스크리스’ 방식만 검토했으나, 이번 행사에서 EUV 노광기술 개발에 동참하겠다는 의지를 처음 밝혔다. TSMC 역시 ASML에 시생산용 장비 ‘NXE:3100’을 발주했으며 자체 기술 개발도 병행할 계획이다.

　하이닉스·인텔·도시바 등 전 세계 주요 반도체업체가 올해 들어 EUV 노광기술에 관심을 보였다. EUV 노광은 파장이 매우 짧은 자외선을 이용해 실리콘 기판에 미세한 회로 이미지를 새기는 기술이다. ‘ArF 이머전’ 노광과 이중패턴기술(DPT)로는 구현할 수 없는 20나노급 이하의 초미세 회로를 형성할 수 있는 대안 기술이다.

　그러나 현 장비 제조기술로는 비용 문제는 물론이고 무결점 마스크와 고전압, 저항치 감소 등 여러 가지 기술적 난제가 있다. 오는 2012년에 양산 적용이 가능할지는 미지수다.

　서한기자 hseo@etnews.co.kr