하이닉스, 4Gb 모바일D램 인텔 인증

하이닉스반도체는 세계 최초로 54나노(1나노=10억분의 1ｍ) 2기가비트(Gb) 기반으로 개발한 4Gb 모바일D램이 인텔 모바일 인터넷 디바이스(MID)용 칩셋인 무어스타운 인증을 획득했다고 9일 밝혔다.

인텔에서 저전력을 염두에 두고 만든 무어스타운은 2008년 인텔 개발자 포럼(IDF)에서 소개된 차세대 모바일 플랫폼이다. 하이닉스의 모바일 제품이 인텔의 인증을 획득한 것은 이번이 처음이다. 4Gb 모바일 D램은 기존 2Gb 제품의 패키지 크기를 유지하면서 용량은 두 배로 늘린 게 특징이다.

전력 소비는 2Gb 제품과 비교해 큰 차이가 없어 사용시간이 긴 모바일 인터넷 디바이스, 넷북, 휴대전화, 내비게이션 등의 모바일 애플리케이션 제품에 적합하다.

이 제품은 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다. 하이닉스는 3분기에 본격적인 양산체제에 들어갈 계획이다.