‘2015년 반도체 재료 국산화율 75%를 달성한다.’
한국반도체산업협회를 중심으로 삼성전자·하이닉스반도체·동부하이텍 등 기업과 반도체 재료 기업이 이 같은 국산화 비율 달성을 위해 다양한 활동을 전개하고 있다. 반도체 기업은 올해로 3년째 성능평가협력 사업을 진행하고 있다. 이 사업은 반도체를 양산하는 라인에 국산 반도체 생산 장비와 재료 등을 투입해 실제로 양산에 적용 가능한지를 인증하는 사업이다.
반도체산업협회는 5월 말 동성에이엔티·유니온머트리얼텍·소디프신소재·후성·제일모직 등 5개 기업의 반도체 재료에 대해 성능평가 협력사업 인증서를 발급하기로 했다. 이들 기업은 이를 계기로 자사 반도체 재료를 삼성전자·하이닉스·동부하이텍 등 반도체 기업에 추가로 납품하는 기회를 얻게 될 전망이다.
동부하이텍은 동성이엔티의 CMP 패드와 유니언머트리얼텍의 절연막 테오스(TEOS)의 품질을 인정, 제품 성능 개선을 요구하거나 공정에 도입할 계획이다. 삼성전자도 소디프신소재의 절연막형성가스(DCS) 기초 성능을 평가, 제품 상용화 가치를 인증했다. 이에 소디프신소재는 공급 가능성을 높였다.
하이닉스반도체는 후성의 반도체 에칭 가스인 C4F6(육불화뷰타다이엔)의 양산 성능을 평가, 후성은 하이닉스의 양산 라인에 공급할 수 있게 됐다. 하이닉스는 또한 제일모직의 텅스텐 CMP슬러리와 고평탄성 세리아 슬러리 약액에 대해 기초 및 양산 성능 평가를 인증, 국산 반도체 재료 구입 비율을 높일 계획이다.
한미 반도체 R&D 국제협력 사업도 순항 중이다. 현재 1단계로 2007년 9월∼2009년 8월 24개월 동안 진행될 예정이다. 이 사업은 삼성·하이닉스와 장비·재료 기업이 미국 등 해외 우수기술연구기관과 협력을 통한 반도체기술 국제경쟁력을 강화하는 것으로 2011년 8월 종료된다.
국내 기업은 UT댈러스대학과는 차세대 장비·재료기술 △스탠퍼드대학과는 차세대 비휘발성메모리 나노공정 기술 △UC버클리대학과는 SoC 설계기술을 공동 개발한다. 현재 케이시텍이 차세대 SoC 공정용 세리아 슬러리, 동진쎄미켐 액상도포성 절연체, 삼성전자 22나노 차세대 고유전게이트 유전막 및 전극 등을 미국 UT댈러스와 공동 개발 중이다.
한국반도체산업협회 관계자는 “지난 2년간 한미 반도체 R&D 국제 협력 사업에 정부가 55억원, 기업 30억원, 텍사스주 260만달러를 각각 투자했다”며 “이번 공동 R&D를 기반으로 국내 기업이 장비·재료 등 분야에서 원천기술을 확보, 반도체 산업 경쟁력을 높이겠다”고 말했다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr
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